Y50KFE、非対称高速オフスイッチング Thyristor

ファストターンオフ

Y50KFE,非対称高速ターンオフサイリスタ

部品番号 Y50KFE-KT50cT

Brand:

テクセム

Spu:

Y50KFE-KT50cT

Appurtenance:

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はじめに
概要

はじめに

わかった T(AV)	1494A について
v DRM	1200V~ 2000V
v RRM	1000V~ 1800V
T Q	15~ 55µs

特徴

相互接続された増幅ゲート
高速ターンオンと高di/dt
低スイッチング損失

典型的な用途

感電式加熱
電子溶接機
自動換算式インバーター

シンボル	特徴	試験条件			Tj(℃ )	価値			ユニット
シンボル	特徴	試験条件			Tj(℃ )	ほんの少し	タイプ	マックス	ユニット
IT(AV)	平均オン状態電流	180違う半正弦波 50Hz 両面冷却、		TC=55℃	125			1494	A について
IT(AV)	平均オン状態電流	180違う半正弦波 50Hz 両面冷却、		TC=70℃	125			1243	A について
VDRM	繰り返しピークオフステート電圧	tp=10ms			125	1200		2000	v
VRRM	繰り返しのピーク逆電圧	tp=10ms			125	1000		1800	v
Idrm Irrm	繰り返しピーク電流	VDRMおよびVRRMで			125			80	mA
ITSM	サージオン状態電流	10ms半正弦波 VR=0.6VRRM			125			17	kA
ポイント	融解調整のためのI2t	10ms半正弦波 VR=0.6VRRM			125			1445	A2s* 103
VTO	限界電圧				125			1.57	v
ロープ	オン状態スロープ抵抗				125			0.21	mΩ
VTM	ピークオン状態電圧	ITM=3000A,F=24kN	15μs≤tq≤28μs		25			2.50	v
VTM	ピークオン状態電圧	ITM=3000A,F=24kN	29μs≤tq≤55μs		25			2.10	v
dv/dt	オフステート電圧の急激な上昇率	VDM=0.67VDRM			125			1000	V/μs
di/dt	オン状態の電流の上昇の臨界速度	VDM=1600Aで 67%VDRM ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM= 1.5A			125			1500	A/μs
Qrr	リカバリーチャージ	ITM= 1000A,tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V			125		750		微分
Tq	回路コミュテーションターンオフ時間	ITM= 1000A,tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs			125	15		55	μs
IGT	ゲートトリガ電流	VA= 12V, IA= 1A			25	40		300	mA
Vgt	ゲートトリガ電圧					0.9		3.0	v
IH	ホールディング電流					20		500	mA
ラング	ラッチ電流							1000	mA
VGD	非トリガゲート電圧	VDM=67%VDRM			125			0.3	v
Rth(j-c)	ジャンクションからケースへの熱抵抗	1800サイン波で、両面冷却、クランプ力 24kN						0.020	。C /W
Rth(c-h)	熱吸収器の熱抵抗ケース	1800サイン波で、両面冷却、クランプ力 24kN						0.005	。C /W
Fm	取り付け力					19		26	KN
Tvj	接合温度					-40		125	°C
ターゲット・ストーブ	保存温度					-40		140	°C
ワット	重量						440		g
概要	KT50cT