IGBTモジュール 1700V

パラメータ

シンボル

条件

ほんの少し

マックス

ユニット

集合器-放出器の電圧

総額

VGE =0V,Tvj ≥25°C

1700

v

DCコレクタ電流

集積回路

TC =80°C

3600

A について

ピークコレクタ電流

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

7200

A について

ゲート・エミッター・ボルト

VGES

-20

20

v

総電力損失

Ptot

TC =25°C,スイッチごと(IGBT)

17800

W について

DC順方向電流

IF

3600

A について

ピーク順方向電流

IFRM

tp=1ms

7200

A について

サージ電流

IFSM

VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, 半正弦波

18000

A について

IGBT短絡SOA IGBT

tpsc

VCC =1200V,VCEMCHIP≤1700V VGE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μs

絶縁電圧

Visol

1分,f=50Hz

4000

v

接合温度

Tvj

175

°C

接合動作温度

Tvj(op)

-50

150

°C

ケース温度

TC

-50

125

°C

保管温度

ターゲット・ストーブ

-50

125

°C

取り付けトルク

Ms

4

6

Nm

MT1

8

10

Mt2

2

3

パラメータ

シンボル

条件

ほんの少し

タイプ

マックス

ユニット

コレクタ（-エミッタ）ブレークダウン 圧力は

特別特別特別特別特別

VGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

1700

v

コレクタ-エミッタ飽和電圧 

VCEsat

IC =3600A, VGE =15V

Tvj= 25°C

2.5

v

Tvj=125°C

3.0

v

Tvj=150°C

3.1

v

コレクターが電流を切断 

ICES

VCE =1700V, VGE =0V

Tvj= 25°C

10

mA

Tvj=125°C

100

mA

Tvj=150°C

170

mA

ゲート漏れ電流 

ゲノム

VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C

-500

500

NA

ゲート-エミッタ閾値電圧 

総額は

IC =240mA,VCE =VGE, Tvj =25°C

5.3

7.3

v

ゲートチャージ 

司令部

IC =2400A,VCE =900V, VGE =-15V … 15V

21.0

µC

入力容量 

サイエス

VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C

239

ロープ

輸出容量 

コース

20.9

逆転移容量 

クレス

9.24

オンする遅延時間 

オン (オン)

VCC =900V, IC =3600A, RG =2.2Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH、 

Tvj = 25 °C

1200

NS

Tvj = 125 °C

1500

Tvj = 150 °C

1600

昇る時間 

について

Tvj = 25 °C

1400

Tvj = 125 °C

1600

Tvj = 150 °C

1700

オフ遅延時間 

消して

Tvj = 25 °C

3000

NS

Tvj = 125 °C

3500

Tvj = 150 °C

3700

秋の時間 

TF

Tvj = 25 °C

500

Tvj = 125 °C

560

Tvj = 150 °C

620

オンスイッチング損失エネルギー 

エオン

Tvj = 25 °C

2700

mJ

Tvj = 125 °C

2900

Tvj = 150 °C

3200

オフスイッチング損失エネルギー 

オーフ

Tvj = 25 °C

3800

mJ

Tvj = 125 °C

4100

Tvj = 150 °C

4400

短絡電流 

短絡電流

tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 1200V

10000

A について