GD900HFA120C6S、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =90 O C

900

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

1800

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 O C

3409

W について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

900

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

1800

A について

わかった FSM

サージ前方電流 t P =10ms @ T j =25 O C @ T j =150 について O C

4100

3000

A について

わかった 2T

わかった 2t値,t P =10ms @ T j =25 O C

@ T j =150 について O C

84000

45000

A について 2s

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.40

1.85

v

わかった C =900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

1.60

わかった C =900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =175 O C

1.65

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =24.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.5

6.3

7.0

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.5

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, v 遺伝子組み換え =0V

51.5

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.36

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

13.6

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =900A, r g =0.51Ω, L s =40nH, v 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =25 O C

330

NS

T r

昇る時間

140

NS

T 消して

切断する 遅延時間

842

NS

T F

秋の時間

84

NS

e on

オン スイッチング

損失

144

mJ

e オフ

切断する

損失

87.8

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =900A, r g =0.51Ω, L s =40nH, v 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =125 について O C

373

NS

T r

昇る時間

155

NS

T 消して

切断する 遅延時間

915

NS

T F

秋の時間

135

NS

e on

オン スイッチング

損失

186

mJ

e オフ

切断する

損失

104

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =900A, r g =0.51Ω, L s =40nH, v 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =175 O C

390

NS

T r

昇る時間

172

NS

T 消して

切断する 遅延時間

950

NS

T F

秋の時間

162

NS

e on

オン スイッチング

損失

209

mJ

e オフ

切断する

損失

114

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤8μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V CC =800V v 単数 ≤ 1200V

3200

A について

T P ≤6μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =175 O C,V CC =800V v 単数 ≤ 1200V

3000

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.55

2.00

v

わかった F =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25O C

1.65

わかった F =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 75O C

1.55

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, L s =40 nH ,T j =25 O C

91.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

441

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

26.3

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, L s =40 nH ,T j =125 について O C

141

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

493

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

42.5

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, L s =40 nH ,T j =175 O C

174

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

536

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

52.4

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の r 100

T C =100 O C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2-

半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

r 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2-

半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

r 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2-

半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.80

mΩ

r thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.044

0.076

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンク (pe) ダイオード)

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.028

0.049

0.009

総量

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

350

g