IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

値

ユニット

vCES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかったC

コレクタ電流 @ TC=90OC

900

A について

わかったcm

パルスコレクター電流 tP=1ms

1800

A について

PD

最大電源 消耗 @ Tj=175OC

3409

W について

シンボル

説明

値

ユニット

vRRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト年齢

1200

v

わかったF

ダイオード 連続前向き賃貸

900

A について

わかったFm

ダイオード最大順方向電流 tP=1ms

1800

A について

わかったFSM

サージ前方電流 tP=10ms @Tj=25OC   @ Tj=150 についてOC

4100

3000

A について

わかった2T

わかった2t値,tP=10ms @ Tj=25OC

@ Tj=150 についてOC

84000

45000

A について2s

シンボル

説明

価値

ユニット

Tjmax

交差点最大温度

175

OC

Tショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

OC

TSTG

保管温度範囲

-40から+125

OC

vISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

2500

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかったC=900A,V遺伝子組み換え=15V Tj=25OC

1.40

1.85

v

わかったC=900A,V遺伝子組み換え=15V Tj=125 についてOC

1.60

わかったC=900A,V遺伝子組み換え=15V Tj=175OC

1.65

v遺伝子組み換え(TH)

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかったC=24.0mA,vCE=v遺伝子組み換え, Tj=25OC

5.5

6.3

7.0

v

わかったCES

収集家 カット-オフ

現在

vCE=vCES,v遺伝子組み換え=0V

Tj=25OC

1.0

mA

わかった総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v遺伝子組み換え=v総エネルギー,vCE=0VTj=25OC

400

NA

rゲント

内部ゲート抵抗アンス

0.5

Ω

Cies

入力容量

vCE電気回路が25Vで,f=100KHzで, v遺伝子組み換え=0V

51.5

ロープ

Cres

逆転移転

容量

0.36

ロープ

Qg

ゲートチャージ

v遺伝子組み換え=- やってる 15...+15V

13.6

微分

TD(on)

オンする遅延時間

v定電流=600V,IC=900A,rg=0.51Ω, Ls=40nH, v遺伝子組み換え=-8V/+15V,

Tj=25OC

330

NS

Tr

昇る時間

140

NS

T消して

切断する 遅延時間

842

NS

TF

秋の時間

84

NS

eon

オン スイッチング

損失

144

mJ

eオフ

切断する

損失

87.8

mJ

TD(on)

オンする遅延時間

v定電流=600V,IC=900A,rg=0.51Ω, Ls=40nH, v遺伝子組み換え=-8V/+15V,

Tj=125 についてOC

373

NS

Tr

昇る時間

155

NS

T消して

切断する 遅延時間

915

NS

TF

秋の時間

135

NS

eon

オン スイッチング

損失

186

mJ

eオフ

切断する

損失

104

mJ

TD(on)

オンする遅延時間

v定電流=600V,IC=900A,rg=0.51Ω, Ls=40nH, v遺伝子組み換え=-8V/+15V,

Tj=175OC

390

NS

Tr

昇る時間

172

NS

T消して

切断する 遅延時間

950

NS

TF

秋の時間

162

NS

eon

オン スイッチング

損失

209

mJ

eオフ

切断する

損失

114

mJ

わかったSC

SC データ

TP≤8μs,V遺伝子組み換え=15V

Tj=150 についてOC,V定電流=800V v単数 ≤1200V

3200

A について

TP≤6μs,V遺伝子組み換え=15V

Tj=175OC,V定電流=800V v単数 ≤1200V

3000

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

vF

ダイオード 前向き

圧力は

わかったF=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tj=25OC

1.55

2.00

v

わかったF=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tj=125OC

1.65

わかったF=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tj=175OC

1.55

Qr

回収された電荷

vr=600V,IF=900A,

-di/dt=4930A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,Ls=40nH,Tj=25OC

91.0

微分

わかったロープ

ピーク逆

回復電流

441

A について

eレス

逆転回復 エネルギー

26.3

mJ

Qr

回収された電荷

vr=600V,IF=900A,

-di/dt=4440A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,Ls=40nH,Tj=125 についてOC

141

微分

わかったロープ

ピーク逆

回復電流

493

A について

eレス

逆転回復 エネルギー

42.5

mJ

Qr

回収された電荷

vr=600V,IF=900A,

-di/dt=4160A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,Ls=40nH,Tj=175OC

174

微分

わかったロープ

ピーク逆

回復電流

536

A について

eレス

逆転回復 エネルギー

52.4

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の r100

TC=100 OCロープ100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B について25/50

B値

r2=R25経験[B25/501/T2-

半角形から

3375

K

B について25/80

B値

r2=R25経験[B25/801/T2-

半角形から

3411

K

B について25/100

B値

r2=R25経験[B25/1001/T2-

半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

LCE

流れる誘導力

20

nH

rCC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.80

mΩ

rthJC

ケース対ケース (IGBごとに)T) について

ケースへの接点 (DIあたり)オーデ)

0.044

0.076

総量

rthCH

ケースからヒートシンクへの（perIGBT)

ケースからヒートシンク (pe)ダイオード)

ケースからヒートシンクへの（perモジュール)

0.028

0.049

0.009

総量

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

350

g