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簡潔な紹介
IGBT モジュール、STARPOWERによって製造されました。1200V 2400A。
特徴
典型的な 申請
絶対値 最大 レーティング TC=25°C しない限り 違うなら 記載
シンボル | 説明 | GD2400SGT120C4S | ユニット |
vCES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v |
v総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v |
わかったC | コレクタ電流 @TC=25°C @ TC= 100°C | 3800 2400 | A について |
わかったcm | パルスコレクター電流 tP=1Ms | 4800 | A について |
わかったF | ダイオード 連続前向き賃貸 | 2400 | A について |
わかったFm | ダイオード最大順方向電流 tP=1ms | 4800 | A について |
PD | 最大電源 消耗 @ Tj=175°C | 12.9 | KW |
Tjmax | 交差点最大温度 | 175 | °C |
Tショウジョウ | 交差点の動作温度 | -40から+150 | °C |
TSTG | 保管温度航続距離 | -40から+125 | °C |
vISO | 絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1ほんの少し | 3400 | v |
マウント 扭力 | 信号端回し螺栓:M4 | 平均 2.1 |
|
電力端末スクリュー:M8 | 平均値 10 | N.M<br> | |
固定螺栓:M6 | 4.25 から 5.75 |
| |
重量 | 重さ モジュール | 2300 | g |
電気 特徴 の IGBT TC=25°C しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v(BR)CES | 収集-発信 突入電圧 | Tj=25°C | 1200 |
|
| v |
わかったCES | 収集家 カット-オフ 現在 | vCE=vCES,v遺伝子組み換え=0VTj=25°C |
|
| 5.0 | mA |
わかった総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v遺伝子組み換え=v総エネルギー,vCE=0V Tj=25°C |
|
| 400 | NA |
特徴について
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v遺伝子組み換え(TH) | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかったC=96mA,vCE=v遺伝子組み換え, Tj=25°C | 5.0 | 5.8 | 6.5 | v |
v衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかったC=2400A,V遺伝子組み換え=15V Tj=25°C |
| 1.70 | 2.15 |
v |
わかったC=2400A,V遺伝子組み換え=15V Tj=125 について°C |
| 2.00 |
|
変形する特性
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
TD(on) | オンする遅延時間 |
v定電流=600V,IC=2400A, rゲン= 1.2Ω, rゲッフ=0.3Ω, v遺伝子組み換え=±15V,Tj=25°C |
| 600 |
| NS |
Tr | 昇る時間 |
| 215 |
| NS | |
TD(オフ) | 切断する 遅延時間 |
| 810 |
| NS | |
TF | 秋の時間 |
| 145 |
| NS | |
eon | オン スイッチング 損失 |
| / |
| mJ | |
eオフ | 切断する 損失 |
| / |
| mJ | |
TD(on) | オンする遅延時間 |
v定電流=600V,IC=2400A, rゲン= 1.2Ω, rゲッフ=0.3Ω, v遺伝子組み換え=±15V,Tj= 125°C |
| 695 |
| NS |
Tr | 昇る時間 |
| 235 |
| NS | |
TD(オフ) | 切断する 遅延時間 |
| 970 |
| NS | |
TF | 秋の時間 |
| 182 |
| NS | |
eon | オン スイッチング 損失 |
| 488 |
| mJ | |
eオフ | 切断する 損失 |
| 382 |
| mJ | |
Cies | 入力容量 | vCE電気回路が1Mhzで v遺伝子組み換え=0V |
| 173 |
| ロープ |
Cオーエス | 輸出容量 |
| 9.05 |
| ロープ | |
Cres | 逆転移転 容量 |
| 7.85 |
| ロープ | |
わかったSC |
SC データ | TP≤10μs,V遺伝子組み換え=15 V, Tj=125 について°Cv定電流=900V v単数≤1200V |
|
9600 |
|
A について |
Qg | ゲートチャージ | v定電流=600V,IC=2400A, v遺伝子組み換え=-15 ﹍+15V |
| 23.0 |
| 微分 |
rゲント | 内部ゲート抵抗アンス |
|
| 0.42 |
| Ω |
LCE | 流れる誘導力 |
|
| 10 |
| nH |
rCC+EE | 模板リード 抵抗力 ターミナルからチップへ |
|
|
0.12 |
|
mΩ |
電気 特徴 の ダイオード TC=25°C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット | |
vF | ダイオード 前向き 圧力は | わかったF=2400A v遺伝子組み換え=0V | Tj=25°C |
| 1.65 | 2.05 | v |
Tj=125 について°C |
| 1.65 |
| ||||
Qr | 回復した 充電 | わかったF=2400A, vr=600V rゲン=0.3Ω, v遺伝子組み換え=15V | Tj=25°C |
| 240 |
| 微分 |
Tj=125 について°C |
| 460 |
| ||||
わかったロープ | ピーク逆 回復電流 | Tj=25°C |
| 1650 |
| A について | |
Tj=125 について°C |
| 2150 |
| ||||
eレス | 逆転回復エネルギー | Tj=25°C |
| / |
| mJ | |
Tj=125 について°C |
| 208 |
| ||||
熱特性ics
シンボル | パラメータ | タイプする | マックス。 | ユニット |
rθJC さん | ケース対ケース (IGBごとに)T) について |
| 11.6 | 電力量 |
rθJC さん | 交差点 (Dあたり)ヨード) |
| 19.7 | 電力量 |
rθCS | ケースからシンク (電導性油脂の適用)嘘) | 4 |
| 電力量 |
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