ホームページ / 製品 / IGBT モジュール / IGBTモジュール 1700V
簡単な紹介アクション
IGBT モジュール、STARPOWERによって製造されました。1700V 650A
特徴
典型的な 申請
絶対値 最大 レーティング TC=25OC しない限り 違うなら 注記
IGBT
シンボル | 説明 | 価値 | ユニット |
vCES | 集合器-放出器の電圧 | 1700 | v |
v総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v |
わかったC | コレクタ電流 @ TC=25OC @ TC= 100OC | 1073 650 | A について |
わかったcm | パルスコレクター電流 tP=1ms | 1300 | A について |
PD | 最大電源 消耗 @ Tj=175OC | 4.2 | KW |
ダイオード
シンボル | 説明 | 価値 | ユニット |
vRRM | 繰り返しのピーク逆電圧 | 1700 | v |
わかったF | ダイオード 連続前向き賃貸 | 650 | A について |
わかったFm | ダイオード最大順方向電流 tP=1ms | 1300 | A について |
モジュール
シンボル | 説明 | 価値 | ユニット |
Tjmax | 交差点最大温度 | 175 | OC |
Tショウジョウ | 交差点の動作温度 | -40から+150 | OC |
TSTG | 保管温度航続距離 | -40から+150 | OC |
vISO | 絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t=1分前 | 4000 | v |
IGBT 特徴 TC=25OC しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかったC=650A,V遺伝子組み換え=15V Tj=25OC |
| 1.90 | 2.35 |
v |
わかったC=650A,V遺伝子組み換え=15V Tj=125 についてOC |
| 2.35 |
| |||
わかったC=650A,V遺伝子組み換え=15V Tj=150 についてOC |
| 2.45 |
| |||
v遺伝子組み換え(TH) | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかったC=24.0mA,vCE=v遺伝子組み換え, Tj=25OC | 5.6 | 6.2 | 6.8 | v |
わかったCES | 収集家 カット-オフ 現在 | vCE=vCES,v遺伝子組み換え=0V Tj=25OC |
|
| 5.0 | mA |
わかった総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v遺伝子組み換え=v総エネルギー,vCE=0VTj=25OC |
|
| 400 | NA |
rゲント | 内部ゲート抵抗アンス |
|
| 2.3 |
| Ω |
Cies | 入力容量 | vCE電気回路が1Mhzで v遺伝子組み換え=0V |
| 72.3 |
| ロープ |
Cres | 逆転移転 容量 |
| 1.75 |
| ロープ | |
Qg | ゲートチャージ | v遺伝子組み換え=- やってる 15...+15V |
| 5.66 |
| 微分 |
TD(on) | オンする遅延時間 |
v定電流=900V,IC=650A, rゲン= 1.8Ω,Rゲッフ=2.7Ω,v遺伝子組み換え=±15V,Tj=25OC |
| 468 |
| NS |
Tr | 昇る時間 |
| 86 |
| NS | |
TD(オフ) | 切断する 遅延時間 |
| 850 |
| NS | |
TF | 秋の時間 |
| 363 |
| NS | |
eon | オン スイッチング 損失 |
| 226 |
| mJ | |
eオフ | 切断する 損失 |
| 161 |
| mJ | |
TD(on) | オンする遅延時間 |
v定電流=900V,IC=650A, rゲン= 1.8Ω,Rゲッフ=2.7Ω,v遺伝子組み換え=±15V,Tj= 125OC |
| 480 |
| NS |
Tr | 昇る時間 |
| 110 |
| NS | |
TD(オフ) | 切断する 遅延時間 |
| 1031 |
| NS | |
TF | 秋の時間 |
| 600 |
| NS | |
eon | オン スイッチング 損失 |
| 338 |
| mJ | |
eオフ | 切断する 損失 |
| 226 |
| mJ | |
TD(on) | オンする遅延時間 |
v定電流=900V,IC=650A, rゲン= 1.8Ω,Rゲッフ=2.7Ω,v遺伝子組み換え=±15V,Tj= 150OC |
| 480 |
| NS |
Tr | 昇る時間 |
| 120 |
| NS | |
TD(オフ) | 切断する 遅延時間 |
| 1040 |
| NS | |
TF | 秋の時間 |
| 684 |
| NS | |
eon | オン スイッチング 損失 |
| 368 |
| mJ | |
eオフ | 切断する 損失 |
| 242 |
| mJ | |
わかったSC |
SC データ | TP≤10μs,V遺伝子組み換え=15V Tj=150 についてOC,V定電流= 1000V,v単数≤1700V |
|
2600 |
|
A について |
ダイオード 特徴 TC=25OC しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
vF | ダイオード 前向き 圧力は | わかったF=650A,V遺伝子組み換え=0V,Tj=25OC |
| 1.85 | 2.30 |
v |
わかったF=650A,V遺伝子組み換え=0V,Tj= 125OC |
| 1.98 |
| |||
わかったF=650A,V遺伝子組み換え=0V,Tj= 150OC |
| 2.02 |
| |||
Qr | 回収された電荷 | vr=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,V遺伝子組み換え=- やってる 15VTj=25OC |
| 176 |
| 微分 |
わかったロープ | ピーク逆 回復電流 |
| 765 |
| A について | |
eレス | 逆転回復エネルギー |
| 87.4 |
| mJ | |
Qr | 回収された電荷 | vr=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,V遺伝子組み換え=- やってる 15V Tj= 125OC |
| 292 |
| 微分 |
わかったロープ | ピーク逆 回復電流 |
| 798 |
| A について | |
eレス | 逆転回復エネルギー |
| 159 |
| mJ | |
Qr | 回収された電荷 | vr=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,V遺伝子組み換え=- やってる 15V Tj= 150OC |
| 341 |
| 微分 |
わかったロープ | ピーク逆 回復電流 |
| 805 |
| A について | |
eレス | 逆転回復エネルギー |
| 192 |
| mJ |
NTC 特徴 TC=25OC しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
r25 | 定数抵抗 |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | 偏差 の r100 | TC= 100 OC,R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P25 | 電力 散熱 |
|
|
| 20.0 | mW |
B について25/50 | B値 | r2=R25経験[B25/501/T2- 半角形から |
| 3375 |
| K |
B について25/80 | B値 | r2=R25経験[B25/801/T2- 半角形から |
| 3411 |
| K |
B について25/100 | B値 | r2=R25経験[B25/1001/T2- 半角形から |
| 3433 |
| K |
モジュール 特徴 TC=25OC しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
LCE | 流れる誘導力 |
| 18 |
| nH |
rCC+EE | モジュール鉛抵抗ターミナルからチップへ |
| 0.30 |
| mΩ |
rthJC | ケース対ケース (IGBごとに)T) について 交差点 (Dあたり)ヨード) |
|
| 35.8 71.3 | 電力量 |
rthCH | ケースからヒートシンクへの（perIGBT) ケースからヒートシンクへの（per ダイオード） ケースからヒートシンクへの（perモジュール) |
| 13.5 26.9 4.5 |
| 電力量 |
m | 端末接続トーク スクロールM4 端子接続トルク、 スクロール M8 固定トーク スクロール M5 | 1.8 8.0 3.0 |
| 2.1 10.0 6.0 |
N.M<br> |
g | 重量 の モジュール |
| 810 |
| g |
当社の専門営業チームがあなたの相談をお待ちしています。
商品リストをご覧になり 気になる質問をしてください
EN
