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IGBTモジュール,1200V 450A
特徴
典型的な 申請
絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
説明 |
GD450HFL120B3S |
ユニット |
v CES |
集合器-放出器の電圧 |
1200 |
v |
v 総エネルギー |
ゲート・エミッター・ボルト |
±20 |
v |
わかった C |
コレクタ電流 @ T C =25 °C @ T C = 100°C |
715 450 |
A について |
わかった cm |
パルスコレクター電流 t P =1 Ms |
900 |
A について |
わかった F |
ダイオード 連続前向き 賃貸 |
450 |
A について |
わかった Fm |
ダイオード最大順方向電流 t P =1ms |
900 |
A について |
P D |
最大電源 消耗 @ T j =1 75°C |
2679 |
W について |
T jmax |
交差点最大温度 |
175 |
°C |
T ショウジョウ |
交差点の動作温度 |
-40から+150 |
°C |
T STG |
保管温度 航続距離 |
-40から+125 |
°C |
v ISO |
絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し |
2500 |
v |
マウント 扭力 |
電力端末スクリュー:M5 固定螺栓:M6 |
2.5から 5.0 平均的な 5.0 |
N.M<br> |
電気 特徴 の IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
v (BR )CES |
収集-発信 突入電圧 |
T j =25 °C |
1200 |
|
|
v |
わかった CES |
収集家 カット -オフ 現在 |
v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C |
|
|
5.0 |
mA |
わかった 総エネルギー |
ゲート発射器の漏れ 現在 |
v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C |
|
|
400 |
NA |
特徴について
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
v 遺伝子組み換え (TH ) |
ゲート発信者の限界値 圧力は |
わかった C =18.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 °C |
5.0 |
5.8 |
7.0 |
v |
v 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 |
わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C |
|
2.00 |
2.45 |
v |
わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C |
|
2.20 |
|
変形する特性
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
T D (on ) |
オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =450A r g =2.2Ω v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 °C |
|
220 |
|
NS |
T r |
昇る時間 |
|
68 |
|
NS |
|
T D (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
475 |
|
NS |
|
T F |
秋の時間 |
|
55 |
|
NS |
|
e on |
オン スイッチング 損失 |
|
48.0 |
|
mJ |
|
e オフ |
切断する 損失 |
|
28.2 |
|
mJ |
|
T D (on ) |
オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =450A r g =2.2Ω v 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について °C |
|
250 |
|
NS |
T r |
昇る時間 |
|
72 |
|
NS |
|
T D (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
530 |
|
NS |
|
T F |
秋の時間 |
|
80 |
|
NS |
|
e on |
オン スイッチング 損失 |
|
66.0 |
|
mJ |
|
e オフ |
切断する 損失 |
|
45.0 |
|
mJ |
|
C ies |
入力容量 |
v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V |
|
31.8 |
|
ロープ |
C オーエス |
輸出容量 |
|
2.13 |
|
ロープ |
|
C res |
逆転移転 容量 |
|
1.41 |
|
ロープ |
|
わかった SC |
SC データ |
T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V, T j =125 について °C v 定電流 =900V v 単数 ≤1200V |
|
1950 |
|
A について |
Q g |
ゲートチャージ |
v 定電流 =600V,I C =450A v 遺伝子組み換え =-15 ﹍+15V |
|
4.59 |
|
微分 |
r ゲント |
内部ゲート抵抗 アンス |
|
|
0.7 |
|
Ω |
L CE |
流れる誘導力 |
|
|
|
20 |
nH |
r CC+EE |
模板リード 抵抗力 ターミナルからチップへ |
|
|
0.35 |
|
mΩ |
電気 特徴 の ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
|
v F |
ダイオード 前向き 圧力は |
わかった F =450A v 遺伝子組み換え =0V |
T j =25 °C |
|
1.72 |
2.12 |
v |
T j =125 について °C |
|
1.73 |
|
||||
Q r |
回復した 充電 |
わかった F =450A v r =600V r g =2.2Ω v 遺伝子組み換え =15V |
T j =25 °C |
|
36.2 |
|
微分 |
T j =125 について °C |
|
78.1 |
|
||||
わかった ロープ |
ピーク逆 回復電流 |
T j =25 °C |
|
234 |
|
A について |
|
T j =125 について °C |
|
314 |
|
||||
e レス |
逆転回復 エネルギー |
T j =25 °C |
|
19.1 |
|
mJ |
|
T j =125 について °C |
|
36.3 |
|
熱特性 ics
シンボル |
パラメータ |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
r θ JC さん |
ケース対ケース (IGBごとに) T) について |
|
0.056 |
総量 |
r θ JC さん |
交差点 (Dあたり) ヨード) |
|
0.107 |
総量 |
r θ CS |
ケースからシンク (電導性油脂の適用) 嘘) |
0.035 |
|
総量 |
重量 |
重量 モジュール |
300 |
|
g |
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