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IGBTモジュール 1200V

IGBTモジュール 1200V

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GD1200SGT120A3S,IGBTモジュール,STARPOWER

1200V 1200A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD1200SGT120A3S
  • はじめに
  • 概要
はじめに

簡潔な紹介

IGBT モジュール、STARPOWERによって製造されました。1200V 1200A。

特徴

  • 低VCE (座っている)IGBTテクノロジー
  • 10μs短回路能力
  • 衛星の VCE (衛星)持ってるポジティブ温度係数
  • 低感受性ケース
  • 速くて柔らかい逆回復 対称性のないFWD
  • 高功率サイクル能力のためのAlSiCベースプレート
  • 低熱抵抗のためのAlN基板

典型的な 申請

  • 高功率変換機
  • 自動車運転手
  • ACインバーター駆動装置

絶対値 最大 レーティング TC=25°C しない限り 違うなら 記載

 

シンボル

説明

GD1200SGT120A3S

ユニット

vCES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかったC

コレクタ電流 @TC=25°C

@ TC=80 について°C

2100

1200

A について

わかったcm

パルスコレクター電流 tP=1Ms

2400

A について

わかったF

ダイオード 連続前向き賃貸

1200

A について

わかったFm

ダイオード最大順方向電流 tP=1ms

2400

A について

PD

最大電源 消耗 @ Tj=175°C

7.61

KW

Tjmax

交差点最大温度

175

°C

TSTG

保管温度航続距離

-40から+125

°C

vISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1ほんの少し

2500

v

マウント 扭力

信号端回し螺栓:M4

平均 2.1

 

電力端末スクリュー:M8

平均値 10

N.M<br>

固定螺栓:M6

4.25 から 5.75

 

 

 

電気 特徴  IGBT TC=25°C しない限り 違うなら 記載

特徴から外れている

 

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v(BR)CES

収集-発信

突入電圧

Tj=25°C

1200

 

 

v

わかったCES

収集家 カット-オフ

現在

vCE=vCES,v遺伝子組み換え=0VTj=25°C

 

 

5.0

mA

わかった総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v遺伝子組み換え=v総エネルギー,vCE=0V Tj=25°C

 

 

400

NA

特徴について

 

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v遺伝子組み換え(TH)

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかったC=48mA,vCE=v遺伝子組み換え, Tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

 

v衛星

 

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかったC= 1200A,V遺伝子組み換え=15V Tj=25°C

 

1.70

2.15

 

v

わかったC= 1200A,V遺伝子組み換え=15V Tj=125 について°C

 

2.00

 

変形する特性

 

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

TD(on)

オンする遅延時間

 

 

v定電流=600V,IC=1200A

rゲン=1.8Ωrゲッフ=0.62Ωv遺伝子組み換え=±15V,Tj=25°C

 

550

 

NS

Tr

昇る時間

 

230

 

NS

TD(オフ)

切断する 遅延時間

 

830

 

NS

TF

秋の時間

 

160

 

NS

eon

オン スイッチング 損失

 

/

 

mJ

eオフ

切断する 損失

 

/

 

mJ

TD(on)

オンする遅延時間

 

 

v定電流=600V,IC= 1200A    

rゲン= 1.8Ω,Rゲッフ=0.62Ωv遺伝子組み換え=±15V,Tj=125 について°C

 

650

 

NS

Tr

昇る時間

 

240

 

NS

TD(オフ)

切断する 遅延時間

 

970

 

NS

TF

秋の時間

 

190

 

NS

eon

オン スイッチング 損失

 

246

 

mJ

eオフ

切断する 損失

 

189

 

mJ

Cies

入力容量

vCE電気回路が1Mhzで

v遺伝子組み換え=0V

 

85.5

 

ロープ

Cオーエス

輸出容量

 

4.48

 

ロープ

Cres

逆転移転

容量

 

3.87

 

ロープ

 

わかったSC

 

SC データ

TP≤10μs,V遺伝子組み換え=15 V,

Tj=125 について°C

v定電流=900V v単数≤1200V

 

 

4800

 

 

A について

rゲント

内部ゲート

抵抗

 

 

1.9

 

Ω

LCE

流れる誘導力

 

 

15

 

nH

 

rCC+EE

模板リード

抵抗力

ターミナルからチップへ

 

 

 

0.10

 

 

 

電気 特徴  ダイオード TC=25°C しない限り 違うなら 記載

 

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

vF

ダイオード 前向き

圧力は

わかったF= 1200A

Tj=25°C

 

1.65

2.05

v

Tj=125 について°C

 

1.65

 

Qr

回復した

充電

わかったF= 1200A

vr=600V

rゲン=0.6Ω

v遺伝子組み換え=15V

Tj=25°C

 

112

 

微分

Tj=125 について°C

 

224

 

わかったロープ

ピーク逆

回復電流

Tj=25°C

 

850

 

A について

Tj=125 について°C

 

1070

 

eレス

逆転回復エネルギー

Tj=25°C

 

48.0

 

mJ

Tj=125 について°C

 

96.0

 

熱特性ics

シンボル

パラメータ

タイプする

マックス。

ユニット

rθJC さん

ケース対ケース (IGBごとに)T) について

 

19.7

電力量

rθJC さん

交差点 (Dあたり)ヨード)

 

31.3

電力量

rθCS

ケースからシンク (電導性油脂の適用)嘘)

8

 

電力量

重量

重量     モジュール

1050

 

g

 

概要

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