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簡潔な紹介
IGBT モジュール、STARPOWERによって製造されました。1200V 1200A。
特徴
典型的な 申請
絶対値 最大 レーティング TC=25°C しない限り 違うなら 記載
シンボル | 説明 | GD1200SGT120A3S | ユニット |
vCES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v |
v総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v |
わかったC | コレクタ電流 @TC=25°C @ TC=80 について°C | 2100 1200 | A について |
わかったcm | パルスコレクター電流 tP=1Ms | 2400 | A について |
わかったF | ダイオード 連続前向き賃貸 | 1200 | A について |
わかったFm | ダイオード最大順方向電流 tP=1ms | 2400 | A について |
PD | 最大電源 消耗 @ Tj=175°C | 7.61 | KW |
Tjmax | 交差点最大温度 | 175 | °C |
TSTG | 保管温度航続距離 | -40から+125 | °C |
vISO | 絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1ほんの少し | 2500 | v |
マウント 扭力 | 信号端回し螺栓:M4 | 平均 2.1 |
|
電力端末スクリュー:M8 | 平均値 10 | N.M<br> | |
固定螺栓:M6 | 4.25 から 5.75 |
|
電気 特徴 の IGBT TC=25°C しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v(BR)CES | 収集-発信 突入電圧 | Tj=25°C | 1200 |
|
| v |
わかったCES | 収集家 カット-オフ 現在 | vCE=vCES,v遺伝子組み換え=0VTj=25°C |
|
| 5.0 | mA |
わかった総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v遺伝子組み換え=v総エネルギー,vCE=0V Tj=25°C |
|
| 400 | NA |
特徴について
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v遺伝子組み換え(TH) | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかったC=48mA,vCE=v遺伝子組み換え, Tj=25°C | 5.0 | 5.8 | 6.5 | v |
v衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかったC= 1200A,V遺伝子組み換え=15V Tj=25°C |
| 1.70 | 2.15 |
v |
わかったC= 1200A,V遺伝子組み換え=15V Tj=125 について°C |
| 2.00 |
|
変形する特性
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
TD(on) | オンする遅延時間 |
v定電流=600V,IC=1200A rゲン=1.8Ωrゲッフ=0.62Ωv遺伝子組み換え=±15V,Tj=25°C |
| 550 |
| NS |
Tr | 昇る時間 |
| 230 |
| NS | |
TD(オフ) | 切断する 遅延時間 |
| 830 |
| NS | |
TF | 秋の時間 |
| 160 |
| NS | |
eon | オン スイッチング 損失 |
| / |
| mJ | |
eオフ | 切断する 損失 |
| / |
| mJ | |
TD(on) | オンする遅延時間 |
v定電流=600V,IC= 1200A rゲン= 1.8Ω,Rゲッフ=0.62Ωv遺伝子組み換え=±15V,Tj=125 について°C |
| 650 |
| NS |
Tr | 昇る時間 |
| 240 |
| NS | |
TD(オフ) | 切断する 遅延時間 |
| 970 |
| NS | |
TF | 秋の時間 |
| 190 |
| NS | |
eon | オン スイッチング 損失 |
| 246 |
| mJ | |
eオフ | 切断する 損失 |
| 189 |
| mJ | |
Cies | 入力容量 | vCE電気回路が1Mhzで v遺伝子組み換え=0V |
| 85.5 |
| ロープ |
Cオーエス | 輸出容量 |
| 4.48 |
| ロープ | |
Cres | 逆転移転 容量 |
| 3.87 |
| ロープ | |
わかったSC |
SC データ | TP≤10μs,V遺伝子組み換え=15 V, Tj=125 について°C v定電流=900V v単数≤1200V |
|
4800 |
|
A について |
rゲント | 内部ゲート 抵抗 |
|
| 1.9 |
| Ω |
LCE | 流れる誘導力 |
|
| 15 |
| nH |
rCC+EE | 模板リード 抵抗力 ターミナルからチップへ |
|
|
0.10 |
|
mΩ |
電気 特徴 の ダイオード TC=25°C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット | |
vF | ダイオード 前向き 圧力は | わかったF= 1200A | Tj=25°C |
| 1.65 | 2.05 | v |
Tj=125 について°C |
| 1.65 |
| ||||
Qr | 回復した 充電 | わかったF= 1200A vr=600V rゲン=0.6Ω v遺伝子組み換え=15V | Tj=25°C |
| 112 |
| 微分 |
Tj=125 について°C |
| 224 |
| ||||
わかったロープ | ピーク逆 回復電流 | Tj=25°C |
| 850 |
| A について | |
Tj=125 について°C |
| 1070 |
| ||||
eレス | 逆転回復エネルギー | Tj=25°C |
| 48.0 |
| mJ | |
Tj=125 について°C |
| 96.0 |
|
熱特性ics
シンボル | パラメータ | タイプする | マックス。 | ユニット |
rθJC さん | ケース対ケース (IGBごとに)T) について |
| 19.7 | 電力量 |
rθJC さん | 交差点 (Dあたり)ヨード) |
| 31.3 | 電力量 |
rθCS | ケースからシンク (電導性油脂の適用)嘘) | 8 |
| 電力量 |
重量 | 重量 モジュール | 1050 |
| g |
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