高周波サイリスタ

わかった T(AV)

1260A について

v DRM バイト RRM

1200V 1400V

Tq

12~28µs

シンボル

特徴

試験条件

Tj( °C )

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT(AV)

平均オン状態電流

180違う 半正弦波 50Hz 両面冷却、

TC=55 。C

125

1260

A について

VDRM VRRM

繰り返しピークオフ状態電圧 繰り返しピーク逆電圧

tp=10ms

125

1100

1400

v

Idrm Irrm

繰り返しピークオフ状態電流 繰り返しピーク逆電流

VDRMおよびVRRMで

125

80

mA

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

125

16.3

kA

ポイント

融解調整のためのI2t

1328

A2s*103

VTO

限界電圧

125

1.65

v

ロープ

オン状態スロープ抵抗

0.36

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=2400A, F=24kN

25

3.20

v

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM= 67%VDRM, to2000A

ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

87

100

µC

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

12

28

µs

IGT

ゲートトリガ電流

VA=12V, IA=1A

25

30

250

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

3.0

v

IH

ホールディング電流

20

400

mA

ラング

ラッチ電流

500

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

1800サイン波で、両面冷却、クランプ力 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

熱吸収器の熱抵抗ケース

0.005

Fm

取り付け力

19

26

KN

Tvj

接合温度

-40

125

。C

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

140

。C

ワット

重量

440

g

概要

KT50cT