IGBTモジュール 1700V

シンボル

説明

GD400CUT170C2S

ユニット

v CES

コレクタ-エミッタ電圧 @ T j =25 °C

1700

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

± 20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C = 25°C

@ T C =80 について °C

650

400

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

800

A について

P tot

総電力損失 @ T j = 150°C

2403

W について

T SC

短回路 耐える時間 @ T j =150 について °C

10

μs

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v (BR )CES

収集-発信

突入電圧

T j =25 °C

1700

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C

3.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ

現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C

400

NA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値

圧力は

わかった C = 16mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 °C

5.2

5.8

6.4

v

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C

2.00

2.45

v

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125°C

2.40

シンボル

説明

GD400CUT170C2S

ユニット

v RRM

繰り返しピーク逆電圧 @ Tj=25 °C

1700

v

わかった F

DC順方向電流 @ T C =80 について °C

100

A について

わかった FRM

繰り返しピーク順方向電流 t P =1ms

200

A について

わかった 2T

わかった 2t値,V r =0V,T P =1 0ms,T j =125 について °C

1800

A について 2s

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F = 100A,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25 °C

1.80

2.20

v

T j = 125°C

1.90

Q r

逆ダイオード

リカバリーチャージ

わかった F = 100A,

v r =900V

di/dt=-2450A/μs, v 遺伝子組み換え =- やってる 15V

T j =25 °C

29.0

微分

T j = 125°C

48.5

わかった ロープ

ダイオードピーク

逆転回復 現在

T j =25 °C

155

A について

T j = 125°C

165

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

15.5

mJ

T j = 125°C

27.5

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

v

L CE

流れる誘導力

20

nH

r 定電流 + ロープ ’

モジュール リード抵抗 端末からチップ @ T C =25 °C

0.35

m Ω

r θ JC さん

接合部からケース

(IGBTインバータ、per 1/2モジュ について)

0.052

総量

接合部からケース

(ダイオードブレーキチョッパー per 半モジュール)

0.280

r θ CS

ケースからシンク (電導性油脂) 回答しました)

0.035

総量

T j

交差点最大温度

150

°C

T STG

保管温度範囲

-40

125

°C

マウント

扭力

電力端末 スクリュー:M6

2.5

5.0

N.M<br>

マウント スクリュー:M6

3.0

5.0

g

重量 の モジュール

300

g