IGBTモジュール 1700V

シンボル

説明

v アリュー

ユニット

総額

集合器-放出器の電圧

1700

v

VGES

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

集積回路

コレクター電流 @ TC=25°C

コレクター電流 @ TC=80°C

5200

A について

3600

ICM (ICM) (1)

パルスコレクター電流 tp= 1ms

7200

A について

IF

ダイオード 連続前流

3600

A について

IFM

ダイオード最大順方向電流 @ TC=80℃

7200

A について

病状

最大電力損失 @ Tj=175℃

20

KW

Tj

交差点最大温度

175

°C

ターゲット・ストーブ

保管温度範囲

-40から+125

°C

ヴィソ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

4000

v

マウント

信号端回し螺栓:M4

1.8から2.1

電力端末スクリュー:M8

8.0から10

N.M<br>

扭力

固定螺栓:M6

4.25 から 5.75

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

特別特別特別特別特別

収集-発信

突入電圧

Tj=25°C

1700

v

ICES

コレクターの切断電流

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

5.0

mA

ゲノム

ゲート発射器の漏れ

現在

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25°C

400

NA

総額は

ゲート発信者の限界値

圧力は

IC=145mA,VCE=VGE,Tj=25°C

5.2

5.8

6.4

v

衛星の VCE (衛星)

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

v

IC=3600A,VGE=15V,Tj=125°C

2.40

2.85

司令部

ゲートチャージ

VGE=-15...+15V

42.0

微分

RGint について

内部ゲートレジスタ

Tj=25°C

0.4

Ω

オン (オン)

オンする遅延時間

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

730

NS

について

昇る時間

205

NS

消して

オフ遅延時間

1510

NS

TF

秋の時間

185

NS

エオン

ターンオンスイッチング損失

498

mJ

オーフ

切断切換損失

1055

mJ

オン (オン)

オンする遅延時間

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=125°C

785

NS

について

昇る時間

225

NS

消して

オフ遅延時間

1800

NS

TF

秋の時間

325

NS

エオン

ターンオンスイッチング損失

746

mJ

オーフ

切断切換損失

1451

mJ

サイエス

入力容量

VCE=25V,f=1Mhz,

VGE=0V

317

ロープ

コース

輸出容量

13.2

ロープ

クレス

逆転移転

容量

10.5

ロープ

短絡電流

SC データ

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125°C,VCC=1000V,VCEM ≤1700V

14000

A について

LCE

流れる誘導力

10

nH

RCC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.12

mΩ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =3600A

T j =25 °C

1.80

2.20

v

T j =125 について °C

1.90

2.30

Q r

回収された電荷

わかった F =3600A

v r =900V

r ゲン =0.4Ω

v 遺伝子組み換え =15V

T j =25 °C

836

微分

T j =125 について °C

1451

わかった ロープ

逆転回復 現在

T j =25 °C

2800

A について

T j =125 について °C

3300

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

590

mJ

T j =125 について °C

1051