IGBTモジュール 1700V

シンボル

説明

価値

ユニット

総額

集合器-放出器の電圧

1700

v

VGES

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

集積回路

コレクタ電流 @ TC=25oC

コレクター電流 @ TC=65oC

4446

3600

A について

ICM

パルスコレクタ電流 tp=1ms

7200

A について

病状

最大電力損失 @ Tj=175oC

15.3

KW

シンボル

説明

価値

ユニット

VRRM

繰り返しのピーク逆電圧

1700

v

IF

ダイオード 連続前流

3600

A について

IFM

ダイオード最大順方向電流 tp=1ms

7200

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

Tjmax 合計

交差点最大温度

175

^O C

バイバイ

交差点の動作温度

-40から+150

^O C

ターゲット・ストーブ

保管温度範囲

-40から+125

^O C

ヴィソ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

衛星の VCE (衛星)

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25oC

2.00

2.45

v

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125oC

2.40

IC=3600A,VGE=15V, Tj=150oC

2.50

総額は

ゲート-エミッタ閾値電圧

IC= 144.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.2

7.4

v

ICES

収集器の切断

現在

VCE=VCES,VGE=0V

Tj=25°C

5.0

mA

ゲノム

ゲート-エミッタリーク電流

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

400

NA

RGint について

内部ゲート抵抗

0.53

Ω

サイエス

入力容量

VCE=25V,f=1Mhz,

VGE=0V

240

ロープ

クレス

逆転移転

容量

8.64

ロープ

司令部

ゲートチャージ

VGE=+15…+15V

21.6

微分

オン (オン)

オンする遅延時間

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=25oC

660

NS

について

昇る時間

280

NS

消して

オフ遅延時間

1600

NS

TF

秋の時間

175

NS

エオン

オン 切り替え

損失

650

mJ

オーフ

切断する

損失

1100

mJ

オン (オン)

オンする遅延時間

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=125oC

740

NS

について

昇る時間

290

NS

消して

オフ遅延時間

1800

NS

TF

秋の時間

315

NS

エオン

オン 切り替え

損失

800

mJ

オーフ

切断する

損失

1500

mJ

オン (オン)

オンする遅延時間

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=150oC

780

NS

について

昇る時間

295

NS

消して

オフ遅延時間

1850

NS

TF

秋の時間

395

NS

エオン

オン 切り替え

損失

900

mJ

オーフ

切断する

損失

1600

mJ

短絡電流

SC データ

試験用電池の電源が電源の電源を供給する電源が電源を供給する電源が電源を供給する電源が電源を供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源

Tj=150oC,VCC=1000V, VCEM≤1700V

14

kA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

VF について

ダイオード 前向き

圧力は

IF=3600A,VGE=0V,Tj=25oC

1.80

2.25

v

IF=3600A,VGE=0V,Tj=125oC

1.95

IF=3600A,VGE=0V,Tj= 150oC

1.90

Qr

回収された電荷

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC

730

微分

IRM

ピーク逆

回復電流

2600

A について

エレック

逆再生エネルギー

490

mJ

Qr

回収された電荷

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=125oC

1350

微分

IRM

ピーク逆

回復電流

3150

A について

エレック

逆再生エネルギー

950

mJ

Qr

回収された電荷

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=150oC

1550

微分

IRM

ピーク逆

回復電流

3300

A について

エレック

逆再生エネルギー

1100

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

LCE

流れる誘導力

6.0

nH

RCC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.12

mΩ

RthJC

接続・ケース (IGBTごとに)

ケースへの接点 (ダイオードごとに)

9.8

16.3

電力量

RthCH

ケースからヒートシンクへ (IGBTごと)

ケースからヒートシンクへの接続 (ダイオードごと)

ケースからヒートシンクへの接続 (モジュールごと)

6.5

10.7

4.0

電力量

m

端子接続トルク, スクリュー M4 端子接続トルク, スクリュー M8 取り付けトルク, スクリュー M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M<br>

g

モジュールの重量

2300

g