IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

GD600SGL120C2S

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

± 20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

950

A について

600

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

1200

A について

わかった F

ダイオード 連続前流

600

A について

わかった Fm

ダイオード 最大前向き回転 賃貸

1200

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j = 175°C

3750

W について

T SC

短絡耐性 時間

10

μs

T jmax

交差点最大温度

175

°C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

°C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

°C

わかった 2ダイオード

v r =0V,t=10ms,T j =125 について °C

74000

A について 2s

v ISO

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

2500

v

固定トルク

信号ターミナル スクリュー:M4

1.1 から 2.0

電力端末スクリュー:M6

2.5から 5.0

N.M<br>

マウント スクリュー:M6

平均的な 5.0

重量

重量 の モジュール

300

g

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v (BR )CES

収集-発信

突入電圧

T j =25 °C

1200

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ

現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C

400

NA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値

圧力は

わかった C =24 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 °C

5.0

6.2

7.0

v

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C

1.9

v

わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125°C

2.1

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =600A r g =3Ω,

v 遺伝子組み換え = ± 15 V, T j =25 °C

200

NS

T r

昇る時間

62

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

510

NS

T F

秋の時間

v 定電流 =600V,I C =600A r g =3Ω,

v 遺伝子組み換え = ± 15 V, T j =25 °C

60

NS

e on

オン 切り替え

損失

39

mJ

e オフ

切断する

損失

48

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =600A

r g =3Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15 V, T j = 125°C

210

NS

T r

昇る時間

65

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

600

NS

T F

秋の時間

75

NS

e on

オン 切り替え

損失

45

mJ

e オフ

切断する

損失

60

mJ

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1MHzで

v 遺伝子組み換え =0V

41.0

ロープ

C オーエス

輸出容量

3.1

ロープ

C res

逆転移転

容量

2.0

ロープ

わかった SC

SC データ

T s C ≤ 10μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C ,

v 定電流 =900V v 単数 ≤ 1200V

2600

A について

L CE

流れる誘導力

20

nH

r 定電流 + ロープ ’

モジュールリード抵抗 e について ターミナルからチップへ

T C =25 °C

0.18

m Ω

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =600A

T j =25 °C

1.8

2.4

v

T j = 125°C

1.9

2.5

Q r

逆ダイオード

リカバリーチャージ

わかった F =600A

v r =600V

di/dt=-6000A/μs, v 遺伝子組み換え =- やってる 15V

T j =25 °C

65

微分

T j = 125°C

100

わかった ロープ

ダイオードピーク

逆転回復 現在

T j =25 °C

450

A について

T j = 125°C

510

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

35

mJ

T j = 125°C

42

シンボル

パラメータ

タイプする

マックス。

ユニット

r θ JC さん

接続 (IGBT 部分,pe) 模块)

0.04

°C /W

r θ JC さん

ケースへの接点 (モードごとに二極管部品) について)

0.09

°C /W

r θ CS

ケースからシンク (電導性油脂) 回答しました)

0.035

°C /W