IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった CN

実装されたコレクター Cu rrent

600

A について

わかった C

コレクタ電流 @ T F =85 について O C

450

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

1200

A について

P D

最大電力損失 する @ T F =75 O C T j =175 O C

970

W について

シンボル

説明

値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧 遺伝子組み換え

1200

v

わかった FN

実装されたコレクター Cu rrent

600

A について

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

450

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

1200

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

動作点の温度は連続

30秒の期間内で10秒 発生 最大3000回のライフタイム 私

-40から+150

+150から+175

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

v

D クリーپ

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

9.0 9.0

mm

D 明確

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

4.5 4.5

mm

シンボル

説明

値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった CN

実装されたコレクター Cu rrent

600

A について

わかった C

コレクタ電流 @ T F =85 について O C

450

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

1200

A について

P D

最大電力損失 する @ T F =75 O C T j =175 O C

970

W について

シンボル

説明

値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧 遺伝子組み換え

1200

v

わかった FN

実装されたコレクター Cu rrent

600

A について

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

450

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

1200

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

動作点の温度は連続

30秒の期間内で10秒 発生 最大3000回のライフタイム 私

-40から+150

+150から+175

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

v

D クリーپ

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

9.0 9.0

mm

D 明確

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

4.5 4.5

mm

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.40

v

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

1.65

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =175 O C

1.70

わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.60

わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

1.90

わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =175 O C

2.00

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =15.6 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

6.4

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗

1.67

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, v 遺伝子組み換え =0V

81.2

ロープ

C オーエス

輸出容量

1.56

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.53

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v CE =600V,I C =600A,V 遺伝子組み換え =-8...+15V

5.34

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =600A

r ゲン =1.0Ω r ゲッフ =2.2Ω L s =22nH

v 遺伝子組み換え =-8V/+15V, T j =25 O C

290

NS

T r

昇る時間

81

NS

T 消して

切断する 遅延時間

895

NS

T F

秋の時間

87

NS

e on

オン スイッチング 損失

53.5

mJ

e オフ

切断する 損失

47.5

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =600A

r ゲン =1.0Ω r ゲッフ =2.2Ω L s =22nH

v 遺伝子組み換え =-8V/+15V, T j =150 について O C

322

NS

T r

昇る時間

103

NS

T 消して

切断する 遅延時間

1017

NS

T F

秋の時間

171

NS

e on

オン スイッチング 損失

84.2

mJ

e オフ

切断する 損失

63.7

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =600A

r ゲン =1.0Ω r ゲッフ =2.2Ω L s =22nH

v 遺伝子組み換え =-8V/+15V, T j =175 O C

334

NS

T r

昇る時間

104

NS

T 消して

切断する 遅延時間

1048

NS

T F

秋の時間

187

NS

e on

オン スイッチング 損失

89.8

mJ

e オフ

切断する 損失

65.4

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤6μs v 遺伝子組み換え =15V

T j =175 O C,V 定電流 =800V v 単数 ≤1200V

2000

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.80

v

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50O C

1.75

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 75O C

1.70

わかった F =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.95

わかった F =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50O C

1.95

わかった F =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 75O C

1.90

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =600A

-di/dt=7040A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L s =22 nH ,T j =25 O C

22.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

304

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

10.8

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =600A

-di/dt=5790A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L s =22 nH ,T j =150 について O C

46.6

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

336

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

18.2

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =600A

-di/dt=5520A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L s =22 nH ,T j =175 O C

49.8

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

346

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

19.8

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の r 100

T C =100 O C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

r 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

r 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

8

nH

r CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.75

mΩ

△ P

△ V/ △ t=10.0 DM 3/ほんの少し ,T F =75 O C

64

mbar

P

冷却回りの最大圧 キュート

2.5

バー

r thJF

接合 -オー -冷却 流体 (perIGBT )結合冷却液 (Dあたり) ヨード) △ V/ △ t=10.0 DM 3/ほんの少し ,T F =75 O C

0.103 0.140

総量

m

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロールM4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M<br>

g

重量 の モジュール

750

g