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IGBTモジュール 1200V

IGBTモジュール 1200V

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GD600CUL120C3S,IGBTモジュール,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD600CUL120C3S/GD600CLL120C3S
  • はじめに
  • 概要
はじめに

簡潔な紹介

IGBT モジュール STARPOWERによって製造されました。1200V 600A。

特徴

  • 低V CE (衛星 ) IGBT テクノロジー
  • 10μs 短回路能力 関連性
  • v CE (衛星 ) 持ってる ポジティブ 温度 係数
  • 低誘導性 場合
  • 速くて柔らかい逆回復 逆平行FWD
  • DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的な 申請

  • 高功率変換機
  • 自動車運転手
  • ACインバーター ドライブ

絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載

シンボル

説明

GD600CUL120C3S GD600CLL120C3S

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

1050

600

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1 Ms

1200

A について

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

600

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

1200

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =1 75°C

4.05

KW

T jmax

交差点最大温度

175

°C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

°C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

°C

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

v

マウント 扭力

信号端回し螺栓:M4

平均 2.1

電力端末スクリュー:M8

平均値 10

N.M<br>

固定螺栓:M6

4.25 から 5.75

重量

重さ モジュール

1500

g

電気 特徴 IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載

特徴から外れている

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v (BR )CES

収集-発信

突入電圧

T j =25 °C

1200

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C

400

NA

特徴について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =24 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 °C

5.0

6.2

7.0

v

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C

1.90

2.35

v

わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C

2.10

変形する特性

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =600A r g =1.9Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 °C

170

NS

T r

昇る時間

90

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

450

NS

T F

秋の時間

70

NS

e on

オン スイッチング

損失

74.4

mJ

e オフ

切断する

損失

36.0

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =600A r g =1.9Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V T j = 125°C

180

NS

T r

昇る時間

100

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

520

NS

T F

秋の時間

90

NS

e on

オン スイッチング

損失

99.2

mJ

e オフ

切断する

損失

60.0

mJ

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

44.2

ロープ

C オーエス

輸出容量

3.20

ロープ

C res

逆転移転

容量

2.08

ロープ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V,

T j =125 について °C v 定電流 =900V v 単数 ≤1200V

2800

A について

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.6

Ω

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

模板リード

抵抗力

ターミナルからチップへ

0.18

電気 特徴 ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =600A

T j =25 °C

1.80

2.20

v

T j =125 について °C

1.85

Q r

回復した

充電

わかった F =600A

v r =600V

r g =1.9Ω,

v 遺伝子組み換え =15V

T j =25 °C

80

微分

T j =125 について °C

152

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

T j =25 °C

520

A について

T j =125 について °C

680

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

28.8

mJ

T j =125 について °C

60.0

熱特性 ics

シンボル

パラメータ

タイプする

マックス。

ユニット

r θ JC さん

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

37.0

電力量

r θ JC さん

交差点 (Dあたり) ヨード)

64.0

電力量

r θ CS

ケースからシンク (電導性油脂の適用) 嘘)

6

電力量

概要

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