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簡潔な紹介
IGBT モジュール 、STARPOWERによって製造されました。1200V 450A。
特徴
典型的な 申請
IGBTインバータ T C =25 °C 違いますと
最大定格値
シンボル | 説明 | 試験用機種 | ユニット |
v CES | 集合器-放出器の電圧 @ T j =25 °C | 1200 | v |
v 総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ± 20 | v |
わかった C | コレクタ電流 @ T C =25 °C @ T C =80 について °C | 650 450 | A について |
わかった cm | パルスコレクター電流 t P =1ms | 900 | A について |
P tot | 総電源分散 @ T j =175 °C | 2155 | W について |
T SC | 短回路 耐える時間 @ T j =150 について °C | 10 | μs |
特徴から外れている
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v (BR)CES | 収集-発信 突入電圧 | T j =25 °C | 1200 |
|
| v |
わかった CES | 収集家 カット -オフ 現在 | v CE =V CES バイト 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C |
|
| 5.0 | mA |
わかった 総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v 遺伝子組み換え =V 総エネルギー バイト CE =0V T j =25 °C |
|
| 400 | NA |
特徴について
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v 総額 | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかった C =18.0mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 °C | 5.0 | 5.8 | 6.5 | v |
v 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C |
| 1.70 | 2.15 |
v |
わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C |
| 1.90 |
|
変形する 化学
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
e on | オン スイッチング 損失 |
v 定電流 =600V,I C =450A,R g =1.6Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15V T j =25 °C |
| 23.0 |
| mJ |
e オフ | 切断する 損失 |
| 31.0 |
| mJ | |
e tot | 総 切り替え損失 |
| 54.0 |
| mJ | |
e on | オン スイッチング 損失 |
v 定電流 =600V,I C =450A,R g =1.6Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15V T j =125 について °C |
| 36.0 |
| mJ |
e オフ | 切断する 損失 |
| 48.0 |
| mJ | |
e tot | 総 切り替え損失 |
| 84.0 |
| mJ |
T オンに | オンする遅延時間 | v 定電流 =600V,I C =450A r g =1.6Ω, v 遺伝子組み換え = ± 15V T j =25 °C |
| 160 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 90 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 500 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 130 |
| NS | |
T オンに | オンする遅延時間 | v 定電流 =600V,I C =450A r g =1.6Ω, v 遺伝子組み換え = ± 15V T j =125 について °C |
| 170 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 100 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 570 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 160 |
| NS | |
C ies | 入力容量 |
v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V |
| 32.3 |
| ロープ |
C オーエス | 輸出容量 |
| 1.69 |
| ロープ | |
C res | 逆転移転 容量 |
| 1.46 |
| ロープ | |
わかった SC |
SC データ | T s C ≤ 10μs,V 遺伝子組み換え ≤ 15V T j =125 について °C , v 定電流 =900V v 単数 ≤ 1200V |
|
1800 |
|
A について |
r ゲント | 内部ゲート抵抗 |
|
| 1.7 |
| Ω |
Q g | ゲートチャージ | v 遺伝子組み換え =-15...+15V |
| 4.3 |
| 微分 |
ダイオードインバータ T C =25 °C 特に他に 記載されていない限り
最大定格値
シンボル | 説明 | 試験用機種 | ユニット |
v RRM | 集合器-放出器の電圧 @ T j =25 °C | 1200 | v |
わかった F | DC 前向き電流 @ T C =80 について °C | 450 | A について |
わかった FRM | 繰り返しピーク順方向電流 t P = 1ミリ秒 | 900 | A について |
わかった 2T | わかった 2t値,V r =0V, T P =10ms, T j = 125°C | 35000 | A について 2s |
特徴 価値
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット | |
v F | ダイオード 前向き 圧力は | わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V | T j =25 °C |
| 1.65 | 2.15 | v |
T j =125 について °C |
| 1.65 |
| ||||
Q r | 回収された電荷 |
わかった F =450A v r =600V di/dt=-5200A/μs, v 遺伝子組み換え =15V | T j =25 °C |
| 45.1 |
| NS |
T j =125 について °C |
| 84.6 |
| ||||
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 | T j =25 °C |
| 316 |
| A について | |
T j =125 について °C |
| 404 |
| ||||
e レス | 逆転回復 エネルギー | T j =25 °C |
| 21.1 |
| mJ | |
T j =125 について °C |
| 38.9 |
| ||||
電気 特徴 の NTC T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
r 25 | 定数抵抗 |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | 偏差 の r 100 | T C =100 °C ロープ 100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P 25 | パワー消費 |
|
|
| 20.0 | mW |
B について 25/50 | B値 | r 2=R 25について 25/50 1/T 2-1/(2 98.1 5K))] |
| 3375 |
| K |
IGBT モジュール
シンボル | パラメータ | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v ISO | 隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分 |
| 2500 |
| v |
L CE | 流れる誘導力 |
| 20 |
| nH |
r 定電流 + ロープ ’ | モジュール鉛抵抗 ce,端子からチップまで @ T C =25 °C |
| 1.1 |
| m Ω |
r θJC | 接合 -オー -場合 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード) |
|
| 0.058 0.102 | 総量 |
r θCS | ケースからシンク (電導性油脂) 回答しました) |
| 0.005 |
| 総量 |
T j | 交差点最大温度 |
|
| 150 | °C |
T STG | 保管温度範囲 | -40 |
| 125 | °C |
マウント 扭力 | 電力端末 ネジ:M5 | 3.0 |
| 6.0 | N.M<br> |
マウント スクリュー:M6 | 3.0 |
| 6.0 | N.M<br> | |
重量 | 重さ モジュール |
| 910 |
| g |
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