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IGBTモジュール 1200V

IGBTモジュール 1200V

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GD450HTT120C7S,IGBTモジュール,STARPOWER

1200V 450A

Brand:
ストアパワー
Spu:
試験用機種
  • はじめに
  • 概要
はじめに

簡潔な紹介

IGBT モジュール 、STARPOWERによって製造されました。1200V 450A。

特徴

  • v 衛星 トレンチIGBT技術
  • 変更による損失
  • 10μs 短回路能力
  • 平方RBSOA
  • v 衛星 陽性温度係数を持つ
  • 低誘導性 場合
  • 速やかに 柔らかい逆回復型対向型FWD
  • 隔離された銅 DBC技術を用いたセプラット

典型的な 申請

  • 変圧器 ドライブ
  • ACおよびDC サーボ ドライブ アンプ
  • 無停電電源装置

IGBTインバータ T C =25 °C 違いますと

最大定格値

シンボル

説明

試験用機種

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧 @ T j =25 °C

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

± 20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 °C

@ T C =80 について °C

650

450

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

900

A について

P tot

総電源分散 @ T j =175 °C

2155

W について

T SC

短回路 耐える時間 @ T j =150 について °C

10

μs

特徴から外れている

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v (BR)CES

収集-発信

突入電圧

T j =25 °C

1200

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE =V CES バイト 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ

現在

v 遺伝子組み換え =V 総エネルギー バイト CE =0V T j =25 °C

400

NA

特徴について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 総額

ゲート発信者の限界値

圧力は

わかった C =18.0mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

v

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C

1.70

2.15

v

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C

1.90

変形する 化学

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

e on

オン スイッチング

損失

v 定電流 =600V,I C =450A,R g =1.6Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15V T j =25 °C

23.0

mJ

e オフ

切断する

損失

31.0

mJ

e tot

切り替え損失

54.0

mJ

e on

オン スイッチング

損失

v 定電流 =600V,I C =450A,R g =1.6Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15V T j =125 について °C

36.0

mJ

e オフ

切断する

損失

48.0

mJ

e tot

切り替え損失

84.0

mJ

T オンに

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =450A r g =1.6Ω,

v 遺伝子組み換え = ± 15V T j =25 °C

160

NS

T r

昇る時間

90

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

500

NS

T F

秋の時間

130

NS

T オンに

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =450A r g =1.6Ω,

v 遺伝子組み換え = ± 15V T j =125 について °C

170

NS

T r

昇る時間

100

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

570

NS

T F

秋の時間

160

NS

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

32.3

ロープ

C オーエス

輸出容量

1.69

ロープ

C res

逆転移転

容量

1.46

ロープ

わかった SC

SC データ

T s C 10μs,V 遺伝子組み換え 15V T j =125 について °C ,

v 定電流 =900V v 単数 1200V

1800

A について

r ゲント

内部ゲート抵抗

1.7

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15...+15V

4.3

微分

ダイオードインバータ T C =25 °C 特に他に 記載されていない限り

最大定格値

シンボル

説明

試験用機種

ユニット

v RRM

集合器-放出器の電圧 @ T j =25 °C

1200

v

わかった F

DC 前向き電流 @ T C =80 について °C

450

A について

わかった FRM

繰り返しピーク順方向電流 t P = 1ミリ秒

900

A について

わかった 2T

わかった 2t値,V r =0V, T P =10ms, T j = 125°C

35000

A について 2s

特徴 価値

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25 °C

1.65

2.15

v

T j =125 について °C

1.65

Q r

回収された電荷

わかった F =450A

v r =600V

di/dt=-5200A/μs, v 遺伝子組み換え =15V

T j =25 °C

45.1

NS

T j =125 について °C

84.6

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

T j =25 °C

316

A について

T j =125 について °C

404

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

21.1

mJ

T j =125 について °C

38.9

電気 特徴 NTC T C =25 °C しない限り 違うなら 記載

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r 25

定数抵抗

5.0

ΔR/R

偏差 r 100

T C =100 °C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

パワー消費

20.0

mW

B について 25/50

B値

r 2=R 25について 25/50 1/T 2-1/(2 98.1 5K))]

3375

K

IGBT モジュール

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v ISO

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

2500

v

L CE

流れる誘導力

20

nH

r 定電流 + ロープ

モジュール鉛抵抗 ce,端子からチップまで @ T C =25 °C

1.1

m Ω

r θJC

接合 -オー -場合 (perIGBT )

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.058

0.102

総量

r θCS

ケースからシンク (電導性油脂) 回答しました)

0.005

総量

T j

交差点最大温度

150

°C

T STG

保管温度範囲

-40

125

°C

マウント

扭力

電力端末 ネジ:M5

3.0

6.0

N.M<br>

マウント スクリュー:M6

3.0

6.0

N.M<br>

重量

重さ モジュール

910

g

概要

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