IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

656

450

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

900

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 O C

2054

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

450

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

900

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.70

2.15

v

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

1.95

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.00

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =18.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗

0.7

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

46.6

ロープ

C res

逆転移転

容量

1.31

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

3.50

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =450A r g =1.5Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

328

NS

T r

昇る時間

76

NS

T 消して

切断する 遅延時間

539

NS

T F

秋の時間

108

NS

e on

オン スイッチング

損失

19.5

mJ

e オフ

切断する

損失

46.6

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =450A r g =1.5Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について O C

376

NS

T r

昇る時間

86

NS

T 消して

切断する 遅延時間

595

NS

T F

秋の時間

214

NS

e on

オン スイッチング

損失

36.3

mJ

e オフ

切断する

損失

53.5

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =450A r g =1.5Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j =150 について O C

380

NS

T r

昇る時間

89

NS

T 消して

切断する 遅延時間

608

NS

T F

秋の時間

232

NS

e on

オン スイッチング

損失

41.7

mJ

e オフ

切断する

損失

55.5

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V 定電流 =800V v 単数 ≤1200V

1800

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.90

2.35

v

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25O C

2.00

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50O C

2.05

Q r

回収された電荷

v 定電流 =600V,I F =450A

-di/dt=4370A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 O C

55.2

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

518

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

26.0

mJ

Q r

回収された電荷

v 定電流 =600V,I F =450A

-di/dt=4370A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =125 について O C

106

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

633

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

47.5

mJ

Q r

回収された電荷

v 定電流 =600V,I F =450A

-di/dt=4370A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =150 について O C

121

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

661

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

53.9

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.35

mΩ

r thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.073

0.128

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンク (pe) ダイオード)

ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.031

0.055

0.010

総量

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

300

g