IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

GD400SGL120C2S

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

± 20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

650

A について

400

わかった cm (1)

パルス・コレクター・カール nt

800

A について

わかった F

ダイオード 連続前流

400

A について

わかった Fm

ダイオード 最大前向き回転 賃貸

800

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j = 175°C

3000

W について

T SC

短回路 耐える時間 @ T j =125 について °C

10

μs

T jmax

交差点最大温度

175

°C

T j

交差点の動作温度

-40から+150

°C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

°C

わかった 2ダイオード

v r =0V,t=10ms,T j =125 について °C

27500

A について 2s

v ISO

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

固定トルク

電力端末スクリュー:M6

2.5から 5

N.M<br>

マウント スクリュー:M6

3 オー 6

N.M<br>

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

BV CES

収集-発信

突入電圧

T j =25 °C

1200

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発信機

漏れ電流

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C

400

NA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信機

限界電圧

わかった C =8 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 °C

5.0

6.2

7.0

v

v 衛星

コレクタから

エミッタ飽和

圧力は

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C

1.9

v

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125°C

2.1

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =400A,

r g =4Ω, V 遺伝子組み換え = ± 15V

100

NS

T r

昇る時間

60

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

T j =25 °C

420

NS

T F

秋の時間

v 定電流 =600V,I C =400A,

r g =4Ω, V 遺伝子組み換え = ± 15V

T j =25 °C

60

NS

e on

オン

切り替え損失

33

mJ

e オフ

ターン -オフ

切り替え損失

42

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =400A,

r g =4Ω, V 遺伝子組み換え = ± 15V

T j = 125°C

120

NS

T r

昇る時間

60

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

490

NS

T F

秋の時間

75

NS

e on

オン

切り替え損失

35

mJ

e オフ

ターン -オフ

切り替え損失

46

mJ

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1MHzで

v 遺伝子組み換え =0V

30

ロープ

C オーエス

輸出容量

4

ロープ

C res

逆

転送容量

3

ロープ

わかった SC

SC データ

T s C ≤ 10μs,V 遺伝子組み換え =15 V,

T j =125 について °C について 定電流 =900V

v 単数 ≤ 1200V

1900

A について

r ゲント

内部ゲート

抵抗

0.5

Ω

L CE

流れる誘導力

20

nH

r 定電流 + ロープ ’

模板リード

抵抗力

ターミナルからチップへ

T C =25 °C

0.18

m Ω

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =400A

T j =25 °C

2.1

2.2

v

T j = 125°C

2.2

2.3

Q r

逆ダイオード

リカバリーチャージ

わかった F =400A,

v r =600V

di/dt=-4000A/μs, v 遺伝子組み換え =- やってる 15V

T j =25 °C

40

微分

T j = 125°C

48

わかった ロープ

ダイオードピーク

逆転回復 現在

T j =25 °C

320

A について

T j = 125°C

400

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

12

mJ

T j = 125°C

20

シンボル

パラメータ

タイプする

マックス。

ユニット

r θ JC さん

接続 (IGBT 部分,pe) 模块)

0.05

総量

r θ JC さん

ユニオン・トゥ・ケース (モジュールごとにDIOD部品) について

0.09

総量

r θ CS

ケースからシンク (電導性油脂) 回答しました)

0.035

総量

重量

重量 の モジュール

300

g