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簡潔な紹介
IGBT モジュール , STARPOWERによって製造されました。 1200V 400A。
特徴
典型的な 申請
絶対最大格付け T C =25 °C 特に記載がない限り 注記
シンボル | 説明 | GD400HFT120C2S | ユニット |
v CES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v |
v 総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ± 20 | v |
わかった C | コレクタ電流 @ T C =25 °C @ T C =80 について °C | 600 | A について |
400 | |||
わかった CM (CM) (1) | パルスコレクター電流 t P =1ms | 800 | A について |
わかった F | ダイオード 連続前流 @ T C =80 について °C | 400 | A について |
わかった Fm | ダイオード最大順方向電流 t P =1ms | 800 | A について |
P D | 最大電源 消耗 T j =150 について °C | 2119 | W について |
T jmax | 交差点最大温度 | 150 | °C |
T STG | 保管温度範囲 | -40から +125 | °C |
v ISO | 隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分 | 2500 | v |
マウント | 電力端末 スクリュー:M6 | 2.5から 5.0 | N.M<br> |
扭力 | マウント スクリュー:M6 | 平均的な 5.0 |
|
電気特性 IGBT T C =25 °C 違いますと
特徴から外れている
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v (BR)CES | 収集-発信 突入電圧 | T j =25 °C | 1200 |
|
| v |
わかった CES | 収集家 カット -オフ 現在 | v CE =V CES バイト 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C |
|
| 5.0 | mA |
わかった 総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v 遺伝子組み換え =V 総エネルギー バイト CE =0V T j =25 °C |
|
| 400 | NA |
特徴について
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v 総額 | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかった C =16mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 °C | 5.0 | 5.8 | 6.5 | v |
v 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C |
| 1.70 | 2.15 |
v |
わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C |
| 2.00 |
|
変形する 化学
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
T オンに | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =400A, r g =1.8Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15V T j =25 °C |
| 250 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 39 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 500 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 100 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 17.0 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 42.0 |
| mJ | |
T オンに | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =400A, r g =1.8Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15V T j =125 について °C |
| 299 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 46 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 605 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 155 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 25.1 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 61.9 |
| mJ | |
C ies | 入力容量 |
v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V |
| 28.8 |
| ロープ |
C オーエス | 輸出容量 |
| 1.51 |
| ロープ | |
C res | 逆転移転 容量 |
| 1.31 |
| ロープ | |
わかった SC |
SC データ | T s C ≤ 10μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C , v 定電流 =600V v 単数 ≤ 1200V |
|
1600 |
|
A について |
r ゲント | 内部ゲート抵抗 |
|
| 1.9 |
| Ω |
L CE | 流れる誘導力 |
|
|
| 20 | nH |
r 定電流 + ロープ ’ | モジュールリードレジスタ について ターミナルからチップへ | T C =25 °C |
| 0.35 |
| m Ω |
電気 特徴 の ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット | |
v F | ダイオード 前向き 圧力は | わかった F =400A | T j =25 °C |
| 1.65 | 2.15 | v |
T j =125 について °C |
| 1.65 |
| ||||
Q r | 回収された電荷 |
わかった F =400A, v r =600V di/dt=-6000A/μs, v 遺伝子組み換え =15V | T j =25 °C |
| 44 |
| 微分 |
T j =125 について °C |
| 78 |
| ||||
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 | T j =25 °C |
| 490 |
| A について | |
T j =125 について °C |
| 555 |
| ||||
e レス | 逆転回復 エネルギー | T j =25 °C |
| 19.0 |
| mJ | |
T j =125 について °C |
| 35.1 |
| ||||
熱特性
シンボル | パラメータ | タイプする | マックス。 | ユニット |
r θJC | 接合 -オー -場合 (perIGBT ) |
| 0.059 | 総量 |
r θJC | 接合部からケースまで (per ダイオード) |
| 0.106 | 総量 |
r θCS | ケースからヒートシンクまで (導電性グリース 適用) | 0.035 |
| 総量 |
重量 | 重さ モジュール | 300 |
| g |
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