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簡潔な紹介
IGBT モジュール , STARPOWERによって製造されました。 1200V 400A。
特徴
典型的な 申請
絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | 説明 | GD400HFT120C2SN_T4F | ユニット |
v CES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v |
v 総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v |
わかった C | コレクタ電流 @ T C =25 °C @ T C =90 °C | 585 400 | A について |
わかった cm | パルスコレクター電流 t P =1 Ms | 800 | A について |
わかった F | ダイオード 連続前向き 賃貸 | 400 | A について |
わかった Fm | ダイオード 最大前向き回転 賃貸 T P =1ms | 800 | A について |
P D | 最大電力損失 tion @ T j =175 °C | 2174 | W について |
T jmax | 交差点最大温度 | 175 | °C |
T ショウジョウ | 交差点の動作温度 | -40から+150 | °C |
T STG | 保管温度 航続距離 | -40から+125 | °C |
v ISO | 絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し | 4000 | v |
マウント 扭力 | 電力端末スクリュー:M6 固定螺栓:M6 | 2.5から 5.0 平均的な 5.0 | N.M<br> |
重量 | 重さ モジュール | 300 | g |
電気 特徴 の IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v (BR )CES | 収集-発信 突入電圧 | T j =25 °C | 1200 |
|
| v |
わかった CES | 収集家 カット -オフ 現在 | v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C |
|
| 5.0 | mA |
わかった 総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C |
|
| 400 | NA |
特徴について
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v 遺伝子組み換え (TH ) | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかった C = 15.2mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 °C | 5.1 | 5.8 | 6.4 | v |
v 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C |
| 2.05 | 2.45 |
v |
わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C |
| 2.40 |
|
変形する特性
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =400A, r g =2.4Ω, v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 °C |
| 362 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 112 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 378 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 115 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 34.8 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 19.0 |
| mJ | |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =400A, r g =2.4Ω, v 遺伝子組み換え =±15V T j = 125°C |
| 364 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 113 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 405 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 125 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 43.0 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 30.8 |
| mJ | |
C ies | 入力容量 | v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V |
| 24.6 |
| ロープ |
C res | 逆転移転 容量 |
| 1.38 |
| ロープ | |
わかった SC | SC データ | T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V, T j =125 について °C v 定電流 =900V v 単数 ≤1200V |
| 1600 |
| A について |
r ゲント | 内部ゲート抵抗 アンス |
|
| 1.9 |
| Ω |
L CE | 流れる誘導力 |
|
|
| 20 | nH |
r CC+EE | 模板リード 抵抗力 ターミナルからチップへ |
|
|
0.35 |
|
mΩ |
電気 特徴 の ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット | |
v F | ダイオード 前向き 圧力は | わかった F =400A | T j =25 °C |
| 1.95 | 2.35 | v |
T j =125 について °C |
| 2.05 |
| ||||
Q r | 回復した 充電 | わかった F =400A, v r =600V r g =2.4Ω, v 遺伝子組み換え =15V | T j =25 °C |
| 20.2 |
| 微分 |
T j =125 について °C |
| 43.0 |
| ||||
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 | T j =25 °C |
| 226 |
| A について | |
T j =125 について °C |
| 340 |
| ||||
e レス | 逆転回復 エネルギー | T j =25 °C |
| 10.1 |
| mJ | |
T j =125 について °C |
| 27.2 |
| ||||
熱特性 ics
シンボル | パラメータ | タイプする | マックス。 | ユニット |
r θ JC さん | ケース対ケース (IGBごとに) T) について |
| 0.069 | 総量 |
r θ JC さん | 交差点 (Dあたり) ヨード) |
| 0.098 | 総量 |
r θ CS | ケースからシンク (電導性油脂の適用) 嘘) | 0.035 |
| 総量 |
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