IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

700

400

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

800

A について

P D

最大電源 消耗 @ T =175 O C

2542

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

400

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

800

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.70

2.15

v

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

2.00

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.10

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C = 16.0mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.0

5.8

6.5

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.9

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

28.8

ロープ

C res

逆転移転

容量

1.31

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

1.20

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =400A, r g = 1.8Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

250

NS

T r

昇る時間

39

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

500

NS

T F

秋の時間

100

NS

e on

オン スイッチング

損失

17.0

mJ

e オフ

切断する

損失

42.0

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =400A, r g = 1.8Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C

299

NS

T r

昇る時間

46

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

605

NS

T F

秋の時間

155

NS

e on

オン スイッチング

損失

25.1

mJ

e オフ

切断する

損失

61.9

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =400A, r g = 1.8Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V T j = 150O C

320

NS

T r

昇る時間

52

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

625

NS

T F

秋の時間

180

NS

e on

オン スイッチング

損失

30.5

mJ

e オフ

切断する

損失

66.8

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V 定電流 =600V v 単数 ≤1200V

1600

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

v

わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125O C

1.65

わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

回収された電荷

v 定電流 =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs

v 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 O C

44

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

490

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

19.0

mJ

Q r

回収された電荷

v 定電流 =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs

v 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 125O C

78

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

555

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

35.1

mJ

Q r

回収された電荷

v 定電流 =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs

v 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 150O C

90

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

565

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

38.8

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の r 100

T C = 100O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

パワー消費

20.0

mW

B について 25/50

B値

r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2-

半角形から

3375

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.059

0.106

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.109

0.196

0.035

総量

m

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

300

g