IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

483

300

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

600

A について

P D

最大電源 消耗 @ T =175 O C

1612

W について

シンボル

説明

値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

300

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

600

A について

シンボル

説明

値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

650

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C =60 O C

372

300

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

600

A について

P D

最大電源 消耗 @ T =175 O C

920

W について

シンボル

説明

値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧

650

v

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

300

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

600

A について

シンボル

説明

値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.70

2.15

v

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

1.95

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.00

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =7.50 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

2.5

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

21.0

ロープ

C res

逆転移転

容量

1.20

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15...+15V

2.60

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =300A r g = 1.3Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

182

NS

T r

昇る時間

54

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

464

NS

T F

秋の時間

72

NS

e on

オン スイッチング

損失

10.6

mJ

e オフ

切断する

損失

25.8

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =300A r g = 1.3Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C

193

NS

T r

昇る時間

54

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

577

NS

T F

秋の時間

113

NS

e on

オン スイッチング

損失

16.8

mJ

e オフ

切断する

損失

38.6

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =300A r g = 1.3Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j = 150O C

203

NS

T r

昇る時間

54

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

618

NS

T F

秋の時間

124

NS

e on

オン スイッチング

損失

18.5

mJ

e オフ

切断する

損失

43.3

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V 定電流 =900V v 単数 ≤1200V

1200

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

v

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125 について O C

1.65

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150 について O C

1.65

Q r

回復した

充電

v 定電流 =600V,I F =300A

-di/dt=6050A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

29

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

318

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

18.1

mJ

Q r

回復した

充電

v 定電流 =600V,I F =300A

-di/dt=6050A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125O C

55

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

371

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

28.0

mJ

Q r

回復した

充電

v 定電流 =600V,I F =300A

-di/dt=6050A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j = 150O C

64

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

390

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

32.8

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.45

1.90

v

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

1.60

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

1.70

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =4.8 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.1

5.8

6.5

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.0

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

17.1

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.51

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15 ﹍+15V

2.88

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =300V,I C =300A r g =2.4Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

88

NS

T r

昇る時間

40

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

294

NS

T F

秋の時間

43

NS

e on

オン スイッチング

損失

1.34

mJ

e オフ

切断する

損失

8.60

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =300V,I C =300A r g =2.4Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について O C

96

NS

T r

昇る時間

48

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

312

NS

T F

秋の時間

60

NS

e on

オン スイッチング

損失

1.86

mJ

e オフ

切断する

損失

10.8

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =300V,I C =300A r g =2.4Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V T j =150 について O C

104

NS

T r

昇る時間

48

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

318

NS

T F

秋の時間

60

NS

e on

オン スイッチング

損失

1.98

mJ

e オフ

切断する

損失

11.3

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤6μs v 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V 定電流 =360V v 単数 ≤650V

1500

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.55

1.95

v

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125 について O C

1.50

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150 について O C

1.45

Q r

回復した

充電

v r =300V,I F =300A

-di/dt=7150A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

14.3

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

209

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

3.74

mJ

Q r

回復した

充電

v r =300V,I F =300A

-di/dt=7150A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

26.4

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

259

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

6.82

mJ

Q r

回復した

充電

v r =300V,I F =300A

-di/dt=7150A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

30.8

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

275

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

7.70

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r thJC

交差点からケース (T1あたり) T2 IGBT)

交差点とケース (D1,D2 Dio 単位で) de) について

交差点からケース (T3あたり) T4 IGBT)

ケースへの接点 (D3,D4 Dioごとに) de) について

0.093

0.158

0.163

0.299

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per T1,T2 IGBT)

ケースからヒートシンク (D1,D2あたり) ダイオード)

ケースからヒートシンクへの（per T3,T4 IGBT)

ケースからヒートシンク (D3,D4あたり) ダイオード)

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.050

0.083

0.087

0.160

0.010

総量

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

340

g