IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

GD300TLL120C2S

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧 @ T j =25 °C

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト @ T j =25 °C

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

490

300

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1 Ms

600

A について

P tot

総電源分散 @ T j =175 °C

1875

W について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C = 電気回路 CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 °C

5.0

6.2

7.0

v

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C

2.00

2.45

v

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C

2.20

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =300A r g =4.7Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 °C

574

NS

T r

昇る時間

133

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

563

NS

T F

秋の時間

120

NS

e on

オン スイッチング 損失

23.9

mJ

e オフ

切断する 損失

25.3

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =300A r g =4.7Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について °C

604

NS

T r

昇る時間

137

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

629

NS

T F

秋の時間

167

NS

e on

オン スイッチング 損失

31.5

mJ

e オフ

切断する 損失

35.9

mJ

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

21.2

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.94

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 定電流 =600V,I C =300A v 遺伝子組み換え =-15 ﹍+15V

3.1

nC

r ゲント

内部ゲートレジスタ

1.0

Ω

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V,

T j =125 について °C,V 定電流 =900V v 単数 ≤1200V

1300

A について

シンボル

説明

GD300TLL120C2S

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧 @ T j =25 °C

1200

v

わかった F

DC順方向電流

300

A について

わかった FRM

繰り返しピーク順方向電流 t P =1ms

600

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =300A

v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 °C

1.65

2.15

v

T j =125 について °C

1.65

Q r

回収された電荷

わかった F =300A

v r =600V

r g =2.4Ω,

v 遺伝子組み換え =15V

T j =25 °C

30

微分

T j =125 について °C

55

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

T j =25 °C

210

A について

T j =125 について °C

270

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

13.9

mJ

T j =125 について °C

26.1

シンボル

説明

GD300TLL120C2S

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧 @ T j =25 °C

650

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト @ T j =25 °C

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

480

300

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1 Ms

600

A について

P tot

総電源分散 @ T j =175 °C

1071

W について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v (BR )CES

収集-発信

突入電圧

T j =25 °C

650

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C

400

NA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =13.2 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 °C

5.5

7.7

v

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C

1.50

1.95

v

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =175 °C

1.80

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =300V,I C =300A r g =2.5Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 °C

125

NS

T r

昇る時間

320

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

270

NS

T F

秋の時間

135

NS

e on

オン スイッチング 損失

3.20

mJ

e オフ

切断する 損失

12.2

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =300V,I C =300A r g =2.5Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について °C

110

NS

T r

昇る時間

320

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

320

NS

T F

秋の時間

145

NS

e on

オン スイッチング 損失

3.50

mJ

e オフ

切断する 損失

12.8

mJ

C ies

入力容量

v CE =30V,f=1MHz,

v 遺伝子組み換え =0V

25.9

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.68

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 定電流 =300V,I C =300A v 遺伝子組み換え =15V

590

nC

r ゲント

内部ゲートレジスタ

1.0

Ω

わかった SC

SC データ

T P ≤6μs v 遺伝子組み換え =15V

T j =125 について °C,V 定電流 =360V v 単数 ≤650V

3600

A について

シンボル

説明

GD300TLL120C2S

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧 @ T j =25 °C

650

v

わかった F

DC順方向電流

300

A について

わかった FRM

繰り返しピーク順方向電流 t P =1ms

600

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =300A

v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 °C

1.40

1.80

v

T j =125 について °C

1.40

Q r

回収された電荷

わかった F =300A

v r =300V

r g =4.7Ω

v 遺伝子組み換え =15V

T j =25 °C

12.0

微分

T j =125 について °C

21.2

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

T j =25 °C

153

A について

T j =125 について °C

185

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

2.65

mJ

T j =125 について °C

5.12

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

4000

v

r θ JC さん

交差点からケース (T1あたり) T2 IGBT)

交差点からケース (T1,T2あたり) ダイオード)

交差点からケース (T3あたり) T4 IGBT)

交差点からケース (T3,T4あたり) ダイオード)

0.080

0.158

0.137

0.236

総量

r θ CS

ケースからシンク (電導性油脂の適用) 嘘)

0.035

総量

T jmax

交差点最大温度

175

°C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40

150

°C

T STG

保管温度 航続距離

-40

125

°C

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

g

重さ モジュール

340

g