IGBTモジュール 1200V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v (BR )CES

収集-発信

突入電圧

T j =25 °C

1200

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C

400

NA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =64 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

v

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C = 1600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C

1.70

2.15

v

わかった C = 1600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C

2.00

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =1600A,

r ゲン =1.6Ω, r ゲッフ =0.2Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V,T j =25 °C

601

NS

T r

昇る時間

225

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

830

NS

T F

秋の時間

155

NS

e on

オン スイッチング

損失

/

mJ

e オフ

切断する

損失

/

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C = 1600A,

r ゲン = 1.6Ω,R ゲッフ =0.2Ω, v 遺伝子組み換え =±15V,T j =125 について °C

665

NS

T r

昇る時間

225

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

970

NS

T F

秋の時間

180

NS

e on

オン スイッチング

損失

326

mJ

e オフ

切断する

損失

251

mJ

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

115

ロープ

C オーエス

輸出容量

6.03

ロープ

C res

逆転移転

容量

5.23

ロープ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V,

T j =125 について °C v 定電流 =900V v 単数 ≤1200V

6400

A について

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.6

Ω

L CE

流れる誘導力

15

nH

r CC+EE

模板リード

抵抗力

ターミナルからチップへ

0.10

mΩ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F = 1600A

T j =25 °C

1.65

2.05

v

T j =125 について °C

1.65

Q r

回復した

充電

わかった F = 1600A,

v r =600V

r g =0.45Ω,

v 遺伝子組み換え =15V

T j =25 °C

160

微分

T j =125 について °C

300

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

T j =25 °C

1100

A について

T j =125 について °C

1400

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

72

mJ

T j =125 について °C

136

シンボル

パラメータ

タイプする

マックス。

ユニット

r θ JC さん

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

17.8

電力量

r θ JC さん

交差点 (Dあたり) ヨード)

31.0

電力量

r θ CS

ケースからシンク (電導性油脂の適用) 嘘)

6

電力量

重量

重量 モジュール

1500

g