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簡潔な紹介
IGBT モジュール 、STARPOWERによって製造されました。1200V 1200A。
特徴
典型的な用途
絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | 説明 | GD1200SGL120C3S | ユニット | |
v CES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v | |
v 総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ± 20 | v | |
わかった C | コレクター電流 | @ T C =25 °C @ T C = 100°C | 1900 | A について |
1200 | ||||
わかった cm (1) | パルスコレクター電流 t P = 1ミリ秒 | 2400 | A について | |
わかった F | ダイオード 連続前流 | 1200 | A について | |
わかった Fm | ダイオード 最大前向き回転 賃貸 | 2400 | A について | |
P D | 最大電源 消耗 @ T j = 175°C | 8823 | W について | |
T SC | 短回路 耐える時間 @ T j =125 について °C | 10 | μs | |
T j | 交差点の動作温度 | -40から+150 | °C | |
T STG | 保管温度範囲 | -40から+125 | °C | |
わかった 2ダイオード | v r =0V,t=10ms,T j =125 について °C | 300 | kA 2s | |
v ISO | 隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | v | |
マウント 扭力 | 電力端末スクリュー:M4 電力端末スクリュー:M8 | 年間 2.3 平均値 10 | N.M<br> | |
マウント スクリュー:M6 | 4.25から 5.75 | N.M<br> | ||
電気 特徴 の IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
BV CES | 収集-発信 突入電圧 | T j =25 °C | 1200 |
|
| v |
わかった CES | 収集家 カット -オフ 現在 | v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C |
|
| 5.0 | mA |
わかった 総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C |
|
| 800 | NA |
特徴について
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v 遺伝子組み換え (TH ) | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかった C =48.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 °C | 5.0 | 6.5 | 7.0 | v |
v 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかった C = 1200A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C |
| 1.9 |
|
v |
わかった C = 1200A,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125°C |
| 2.1 |
|
変形する特性
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
r ゲント | 内部ゲートレジスタ | T j =25 °C |
| 1.2 |
| Ω |
Q 遺伝子組み換え | ゲートチャージ | わかった C = 1200A,V CE =600V v 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V |
| 12.5 |
| 微分 |
T D (on ) | オンする遅延時間 | v 定電流 =600V,I C =1200A r g =0.82Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15V T j =25 °C |
| 790 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 170 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 1350 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 180 |
| NS | |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =1200A r g =0.82Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15 V, T j = 125°C |
| 850 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 170 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 1500 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 220 |
| NS | |
e on | オン 切り替え損失 |
| 155 |
| mJ | |
e オフ | 切断切換損失 |
| 190 |
| mJ | |
C ies | 入力容量 |
v CE 電気回路が1MHzで v 遺伝子組み換え =0V |
| 92.0 |
| ロープ |
C オーエス | 輸出容量 |
| 8.40 |
| ロープ | |
C res | 逆転移転 容量 |
| 6.10 |
| ロープ | |
わかった SC |
SC データ | T s C ≤ 10μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C , v 定電流 =900V v 単数 ≤ 1200V |
|
7000 |
|
A について |
L CE | 流れる誘導力 |
|
| 15 |
| nH |
r 定電流 + ロープ ’ | モジュールリード抵抗 e について ターミナルからチップへ | T C =25 °C 切り替えるごとに |
| 0.10 |
| m Ω |
電気 特徴 の ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット | |
v F | ダイオード 前向き 圧力は | わかった F = 1200A | T j =25 °C |
| 1.9 |
| v |
T j = 125°C |
| 2.1 |
| ||||
Q r | 逆ダイオード リカバリーチャージ |
わかった F = 1200A v r =600V di/dt=-6800A/μs, v 遺伝子組み換え =- やってる 15V | T j =25 °C |
| 110 |
| 微分 |
T j = 125°C |
| 220 |
| ||||
わかった ロープ | ダイオードピーク 逆転回復 現在 | T j =25 °C |
| 760 |
|
A について | |
T j = 125°C |
| 990 |
| ||||
e レス | 逆転回復 エネルギー | T j =25 °C |
| 47 |
| mJ | |
T j = 125°C |
| 82 |
| ||||
熱特性 ics
シンボル | パラメータ | タイプする | マックス。 | ユニット |
r θ JC さん | 接続 (IGBT 部分,pe) 模块) |
| 0.017 | 総量 |
r θ JC さん | ケースへの接点 (モードごとに二極管部品) について) |
| 0.025 | 総量 |
r θ CS | ケースからシンク (電導性脂肪が適用され, モジュール) | 0.006 |
| 総量 |
重量 | 重量 の モジュール | 1500 |
| g |
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