IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

GD300SGL120C2S

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

± 20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

600

A について

300

わかった cm (1)

パルス・コレクター・カール nt

600

A について

わかった F

ダイオード 連続前流

300

A について

わかった Fm

ダイオード 最大前向き回転 賃貸

600

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j = 175°C

3000

W について

T SC

短回路 耐える時間 @ T j =125 について °C

10

μs

T jmax

交差点最大温度

175

°C

T j

交差点の動作温度

-40から+150

°C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

°C

わかった 2ダイオード

v r =0V,t=10ms,T j =125 について °C

19000

A について 2s

v ISO

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

固定トルク

信号ターミナル スクリュー:M4

1. 1から 2.0

N.M<br>

電力端末スクリュー:M6

2.5から 5.0

マウント スクリュー:M6

3 オー 6

N.M<br>

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

BV CES

収集-発信

突入電圧

T j =25 °C

1200

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ

現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C

400

NA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値

圧力は

わかった C = 12mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 °C

5

6.2

7.0

v

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C

1.9

v

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125°C

2.1

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =300A

90

NS

T r

昇る時間

r g =4.7Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15 V, T j =25 °C

55

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

460

NS

T F

秋の時間

v 定電流 =600V,I C =300A

r g =4.7Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15 V, T j =25 °C

55

NS

e on

オン 切り替え

損失

28

mJ

e オフ

切断する

損失

25

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =300A r g =4.7Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15 V, T j = 125°C

110

NS

T r

昇る時間

60

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

500

NS

T F

秋の時間

60

NS

e on

オン 切り替え

損失

31

mJ

e オフ

切断する

損失

27

mJ

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1MHzで

v 遺伝子組み換え =0V

21

ロープ

C オーエス

輸出容量

1.5

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.9

ロープ

わかった SC

SC データ

T s C ≤ 10μs,V 遺伝子組み換え =15 V, T j =125 について °C について 定電流 =900V v 単数 ≤ 1200V

1300

A について

L CE

流れる誘導力

20

nH

r 定電流 + ロープ ’

モジュールリード抵抗 e について ターミナルからチップへ

T C =25 °C

0.18

m Ω

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =300A

T j =25 °C

2.0

2.4

v

T j = 125°C

2.2

2.5

Q r

逆ダイオード

リカバリーチャージ

わかった F =300A

v r =600V

di/dt=-2400A/μs, v 遺伝子組み換え =- やってる 15V

T j =25 °C

27

微分

T j = 125°C

50

わかった ロープ

ダイオードピーク

逆転回復 現在

T j =25 °C

120

A について

T j = 125°C

170

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

9

mJ

T j = 125°C

20

シンボル

パラメータ

タイプする

マックス。

ユニット

r θ JC さん

接続 (IGBT 部分,pe) 模块)

0.06

総量

r θ JC さん

ユニオン・トゥ・ケース (モジュールごとにDIOD部品) について

0.12

総量

r θ CS

ケースからシンク (電導性油脂) 回答しました)

0.035

総量

重量

重量 の モジュール

310

g