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特徴
典型的な 申請
絶対値 最大 レーティング TC=25OC しない限り 違うなら 記載
IGBT
シンボル | 説明 | 値 | ユニット |
vCES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v |
v総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v |
わかったC | コレクタ電流 @ TC=25OC @ TC=100OC | 150 75 | A について |
わかったcm | パルス 収集家 現在 TP 限定された by Tvjmax | 225 | A について |
PD | 最大電源 消耗 @ Tvj=175OC | 852 | W について |
ダイオード
シンボル | 説明 | 値 | ユニット |
vRRM | 繰り返しのピーク リバース・ボルト年齢 | 1200 | v |
わかったF | ダイオード 連続前向きCurrent | 75 | A について |
わかったFm | パルス 収集家 現在 TP 限定された by Tvjmax | 225 | A について |
機密
シンボル | 説明 | 値 | ユニット |
Tバイト | 交差点の動作温度 | -40から175 | OC |
TSTG | 保管温度範囲 | -55から+150 | OC |
Ts | 溶接温度1.6mmfロームケース 10s | 260 | OC |
IGBT 特徴 TC=25OC しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかったC=75A,V遺伝子組み換え=15V Tvj=25OC |
| 1.75 | 2.20 |
v |
わかったC=75A,V遺伝子組み換え=15V Tvj=150 についてOC |
| 2.10 |
| |||
わかったC=75A,V遺伝子組み換え=15V Tvj=175OC |
| 2.20 |
| |||
v遺伝子組み換え(TH) | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかったC=3.00mA,vCE=v遺伝子組み換え, Tvj=25OC | 5.0 | 5.8 | 6.5 | v |
わかったCES | 収集家 カット-オフ現在 | vCE=vCES,v遺伝子組み換え=0V Tvj=25OC |
|
| 250 | 微分数 |
わかった総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v遺伝子組み換え=v総エネルギー,vCE=0VTvj=25OC |
|
| 100 | NA |
rゲント | 内部ゲート抵抗 |
|
| 2.0 |
| Ω |
Cies | 入力容量 |
vCE電気回路が25Vで,f=100KHzで, v遺伝子組み換え=0V |
| 6.58 |
| ロープ |
Cオーエス | 輸出容量 |
| 0.40 |
|
| |
Cres | 逆転移転 容量 |
| 0.19 |
| ロープ | |
Qg | ゲートチャージ | v遺伝子組み換え=-15...+15V |
| 0.49 |
| 微分 |
TD(on) | オンする遅延時間 |
v定電流=600V,IC=75A, rg=4.7Ω v遺伝子組み換え=±15V Ls=40nH, Tvj=25OC |
| 41 |
| NS |
Tr | 昇る時間 |
| 135 |
| NS | |
T消して | 切断する 遅延時間 |
| 87 |
| NS | |
TF | 秋の時間 |
| 255 |
| NS | |
eon | オン スイッチング 損失 |
| 12.5 |
| mJ | |
eオフ | 切断する 損失 |
| 3.6 |
| mJ | |
TD(on) | オンする遅延時間 |
v定電流=600V,IC=75A, rg=4.7Ω v遺伝子組み換え=±15V Ls=40nH, Tvj=150 についてOC |
| 46 |
| NS |
Tr | 昇る時間 |
| 140 |
| NS | |
T消して | 切断する 遅延時間 |
| 164 |
| NS | |
TF | 秋の時間 |
| 354 |
| NS | |
eon | オン スイッチング 損失 |
| 17.6 |
| mJ | |
eオフ | 切断する 損失 |
| 6.3 |
| mJ | |
TD(on) | オンする遅延時間 |
v定電流=600V,IC=75A, rg=4.7Ω v遺伝子組み換え=±15V Ls=40nH, Tvj=175OC |
| 46 |
| NS |
Tr | 昇る時間 |
| 140 |
| NS | |
T消して | 切断する 遅延時間 |
| 167 |
| NS | |
TF | 秋の時間 |
| 372 |
| NS | |
eon | オン スイッチング 損失 |
| 18.7 |
| mJ | |
eオフ | 切断する 損失 |
| 6.7 |
| mJ | |
わかったSC |
SC データ | TP≤10μsv遺伝子組み換え=15V Tvj=175OC,V定電流=800V v単数≤1200V |
|
300 |
|
A について |
ダイオード 特徴 TC=25OC しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
vF | ダイオード 前向き 圧力は | わかったF=75A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=25OC |
| 1.75 | 2.20 |
v |
わかったF=75A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=150OC |
| 1.75 |
| |||
わかったF=75A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=175OC |
| 1.75 |
| |||
trr | 逆ダイオード 回復時間 |
vr=600V,IF=75A, -di/dt=370A/μs,V遺伝子組み換え=-15V, Ls=40nH, Tvj=25OC |
| 267 |
| NS |
Qr | 回収された電荷 |
| 4.2 |
| 微分 | |
わかったロープ | ピーク逆 回復電流 |
| 22 |
| A について | |
eレス | 逆転回復 エネルギー |
| 1.1 |
| mJ | |
trr | 逆ダイオード 回復時間 |
vr=600V,IF=75A, -di/dt=340A/μs,V遺伝子組み換え=-15V, Ls=40nH, Tvj=150 についてOC |
| 432 |
| NS |
Qr | 回収された電荷 |
| 9.80 |
| 微分 | |
わかったロープ | ピーク逆 回復電流 |
| 33 |
| A について | |
eレス | 逆転回復 エネルギー |
| 2.7 |
| mJ | |
trr | 逆ダイオード 回復時間 |
vr=600V,IF=75A, -di/dt=320A/μs,V遺伝子組み換え=-15V, Ls=40nH, Tvj=175OC |
| 466 |
| NS |
Qr | 回収された電荷 |
| 11.2 |
| 微分 | |
わかったロープ | ピーク逆 回復電流 |
| 35 |
| A について | |
eレス | 逆転回復 エネルギー |
| 3.1 |
| mJ |
機密 特徴 TC=25OC しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
rthJC | ケース対ケース (IGBごとに)T) について交差点 (Dあたり)ヨード) |
|
| 0.176 0.371 | 総量 |
rザ | 接続と環境 |
| 40 |
| 総量 |
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