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IGBT ディスクレート

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IGBTディスクリート,DG25X12T2,1200V,25A,STARPOWER

1200V,25A

Brand:
ストアパワー
  • はじめに
はじめに

優しい思い出:Fまたはそれ以上IGBT ディスクレート, メールを送ってください。

特徴

  • 低VCE (座っている)IGBTテクノロジー
  • 10μs短回路能力
  • 低切換損失
  • 最大接合温度 175oC
  • 低感受性ケース
  • 衛星の VCE (衛星)持ってるポジティブ温度係数
  • 速くて柔らかい逆回復 対称性のないFWD
  • 鉛のないパッケージ

 

典型的な 申請

  • モータードライブ用インバータ
  • ACおよびDCサーボドライブアンプ
  • 無停電電源装置

 

絶対値 最大 レーティング TC=25OC しない限り 違うなら 記載

 

IGBT

 

シンボル

説明

価値

ユニット

vCES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかったC

コレクタ電流 @ TC=25OC

@ TC= 110OC

50

25

A について

わかったcm

パルスコレクター電流 tPT によって制限されるjmax

100

A について

PD

最大電源 消耗 @ Tj=175OC

573

W について

ダイオード

シンボル

説明

価値

ユニット

vRRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v

わかったF

ダイオード 連続前流 @ TC= 110OC

25

A について

わかったFm

ダイオード 最大 フォワード 現在  TP 限定された by Tjmax

100

A について

 

機密

 

シンボル

説明

ユニット

Tショウジョウ

交差点の動作温度

-40から175

OC

TSTG

保管温度航続距離

-55から+150

OC

Ts

はんだ付け温度,1.6mm ケースからのために 10s

260

OC

m

固定トーク ネジ M3

0.6

N.M<br>

IGBT 特徴 TC=25OC しない限り 違うなら 記載

 

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

 

 

v衛星

 

 

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかったC=25A,v遺伝子組み換え=15V

Tj=25OC

 

1.70

2.15

 

 

v

わかったC=25A,v遺伝子組み換え=15V

Tj=125 についてOC

 

1.95

 

わかったC=25A,v遺伝子組み換え=15V

Tj=150 についてOC

 

2.00

 

v遺伝子組み換え(TH)

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかったC=0.63mA,vCE=v遺伝子組み換え, Tj=25OC

5.2

6.0

6.8

v

わかったCES

収集家 カット-オフ

現在

vCE=vCES,v遺伝子組み換え=0V

Tj=25OC

 

 

1.0

mA

わかった総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v遺伝子組み換え=v総エネルギー,vCE=0VTj=25OC

 

 

400

NA

rゲント

内部ゲート抵抗アンス

 

 

0

 

Ω

Cies

入力容量

vCE電気回路が1Mhzで

v遺伝子組み換え=0V

 

2.59

 

ロープ

Cres

逆転移転

容量

 

0.07

 

ロープ

Qg

ゲートチャージ

v遺伝子組み換え=-15...+15V

 

0.19

 

微分

TD(on)

オンする遅延時間

 

 

v定電流=600V,IC=25A,   rg=20Ω,V遺伝子組み換え=±15V Tj=25OC

 

28

 

NS

Tr

昇る時間

 

17

 

NS

TD(オフ)

切断する 遅延時間

 

196

 

NS

TF

秋の時間

 

185

 

NS

eon

オン スイッチング

損失

 

1.71

 

mJ

eオフ

切断する

損失

 

1.49

 

mJ

TD(on)

オンする遅延時間

 

 

v定電流=600V,IC=25A,   rg=20Ω,V遺伝子組み換え=±15V Tj=125 についてOC

 

28

 

NS

Tr

昇る時間

 

21

 

NS

TD(オフ)

切断する 遅延時間

 

288

 

NS

TF

秋の時間

 

216

 

NS

eon

オン スイッチング

損失

 

2.57

 

mJ

eオフ

切断する

損失

 

2.21

 

mJ

TD(on)

オンする遅延時間

 

 

v定電流=600V,IC=25A,   rg=20Ω,V遺伝子組み換え=±15V Tj=150 についてOC

 

28

 

NS

Tr

昇る時間

 

22

 

NS

TD(オフ)

切断する 遅延時間

 

309

 

NS

TF

秋の時間

 

227

 

NS

eon

オン スイッチング

損失

 

2.78

 

mJ

eオフ

切断する

損失

 

2.42

 

mJ

 

わかったSC

 

SC データ

TP≤10μs,V遺伝子組み換え=15V

Tj=150 についてOC,V定電流=900V v単数≤1200V

 

 

100

 

 

A について

ダイオード 特徴 TC=25OC しない限り 違うなら 記載

 

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

 

vF

ダイオード 前向き

圧力は

わかったF=25A,V遺伝子組み換え=0V,Tj=25OC

 

2.20

2.65

 

v

わかったF=25A,V遺伝子組み換え=0V,Tj= 125OC

 

2.30

 

わかったF=25A,V遺伝子組み換え=0V,Tj= 150OC

 

2.25

 

Qr

回収された電荷

vr=600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,V遺伝子組み換え=15V Tj=25OC

 

1.43

 

微分

わかったロープ

ピーク逆

回復電流

 

34

 

A について

eレス

逆転回復エネルギー

 

0.75

 

mJ

Qr

回収された電荷

vr=600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,V遺伝子組み換え=15V Tj= 125OC

 

2.4

 

微分

わかったロープ

ピーク逆

回復電流

 

42

 

A について

eレス

逆転回復エネルギー

 

1.61

 

mJ

Qr

回収された電荷

vr=600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,V遺伝子組み換え=15V Tj= 150OC

 

2.6

 

微分

わかったロープ

ピーク逆

回復電流

 

44

 

A について

eレス

逆転回復エネルギー

 

2.10

 

mJ

 

 

 

機密 特徴 TC=25OC しない限り 違うなら 記載

 

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

rthJC

ケース対ケース (IGBごとに)T) について

ケースへの接点 (DIあたり)オーデ)

 

 

0.262

0.495

総量

r

接続と環境

 

40

 

総量

 

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