IGBT ディスクレート

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

650

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =135 について O C

240

120

A について

わかった cm

パルス 収集家 現在 T P 限定された by T jmax

360

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 O C

893

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

650

v

わかった F

ダイオード 連続前流 @ T C =25 O C @ T C =80 について O C

177

120

A について

わかった Fm

ダイオード 最大 フォワード 現在 T P 限定された by T jmax

360

A について

シンボル

説明

値

ユニット

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から175

O C

T STG

保管温度範囲

-55から+150

O C

T s

溶接温度1.6mmf ロームケース 10s

260

O C

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =120A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.40

1.85

v

わかった C =120A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

1.70

わかった C =120A,V 遺伝子組み換え =15V T j =175 O C

1.75

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =1.92 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.1

5.8

6.5

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 O C

250

uA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

200

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

/

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, v 遺伝子組み換え =0V

14.1

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.42

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

0.86

uC

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =300V,I C =120A r g =7.5Ω

v 遺伝子組み換え =±15V L s =40 nH ,T j =25 O C

68

NS

T r

昇る時間

201

NS

T 消して

切断する 遅延時間

166

NS

T F

秋の時間

54

NS

e on

オン スイッチング 損失

7.19

mJ

e オフ

切断する 損失

2.56

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =300V,I C =120A r g =7.5Ω

v 遺伝子組み換え =±15V L s =40 nH ,T j =150 について O C

70

NS

T r

昇る時間

207

NS

T 消して

切断する 遅延時間

186

NS

T F

秋の時間

106

NS

e on

オン スイッチング 損失

7.70

mJ

e オフ

切断する 損失

2.89

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =300V,I C =120A r g =7.5Ω

v 遺伝子組み換え =±15V L s =40 nH ,T j =175 O C

71

NS

T r

昇る時間

211

NS

T 消して

切断する 遅延時間

195

NS

T F

秋の時間

139

NS

e on

オン スイッチング 損失

7.80

mJ

e オフ

切断する 損失

2.98

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤6μs v 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V 定電流 =300V v 単数 ≤650V

600

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =120A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

v

わかった F =120A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50O C

1.60

わかった F =120A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 75O C

1.60

T ロープ

逆ダイオード 回復時間

v r =300V,I F =120A

-di/dt=450A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L s =40 nH ,T j =25 O C

184

NS

Q r

回収された電荷

1.65

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

17.2

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

0.23

mJ

T ロープ

逆ダイオード 回復時間

v r =300V,I F =120A

-di/dt=450A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L s =40 nH ,T j =150 について O C

221

NS

Q r

回収された電荷

3.24

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

23.1

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

0.53

mJ

T ロープ

逆ダイオード 回復時間

v r =300V,I F =120A

-di/dt=450A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L s =40 nH ,T j =175 O C

246

NS

Q r

回収された電荷

3.98

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

26.8

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

0.64

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.168 0.369

総量

r ザ

接続と環境

40

総量