IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1522

900

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

1800

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 O C

5.24

KW

シンボル

説明

値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

900

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

1800

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.70

2.15

v

わかった C =900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

1.95

わかった C =900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.00

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =22.5 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.63

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

93.2

ロープ

C res

逆転移転

容量

2.61

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15 ﹍+15V

6.99

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =900A, r g =1.6Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

214

NS

T r

昇る時間

150

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

721

NS

T F

秋の時間

206

NS

e on

オン スイッチング

損失

76

mJ

e オフ

切断する

損失

128

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =900A, r g =1.6Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について O C

235

NS

T r

昇る時間

161

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

824

NS

T F

秋の時間

412

NS

e on

オン スイッチング

損失

107

mJ

e オフ

切断する

損失

165

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =900A, r g =1.6Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V T j =150 について O C

235

NS

T r

昇る時間

161

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

876

NS

T F

秋の時間

464

NS

e on

オン スイッチング

損失

112

mJ

e オフ

切断する

損失

180

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V 定電流 =900V v 単数 ≤1200V

3600

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.90

2.25

v

わかった F =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125O C

1.85

わかった F =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150O C

1.80

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

86

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

475

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

36.1

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125O C

143

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

618

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

71.3

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j = 150O C

185

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

665

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

75.1

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r 25

定数抵抗

5.0

kΩ

ΔR/R

偏差 の r 100

T C = 100 O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2-

半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

r 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2-

半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

r 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2-

半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

18

nH

r CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.30

mΩ

r thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

交差点 (Dあたり) ヨード)

28.6

51.9

電力量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

14.0

25.3

4.5

電力量

m

端末接続トーク スクロールM4 端子接続 トルク、 スクロール M8 固定トーク スクロール M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

825

g