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IGBTモジュール 1200V

IGBTモジュール 1200V

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GD800SGT120C3S,IGBTモジュール,STARPOWER

1200V 800A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD800SGT120C3S
  • はじめに
  • 概要
はじめに

簡潔な紹介

IGBT モジュール 、STARPOWERによって製造されました。1200V 800A。

特徴

  • 低V CE (衛星 ) IGBT テクノロジー
  • 10μs 短回路能力 関連性
  • v CE (衛星 ) 持ってる ポジティブ 温度 係数
  • 低誘導性 場合
  • 速くて柔らかい逆回復 逆平行FWD
  • DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的な 申請

  • 高功率変換機
  • 自動車運転手
  • ACインバーター駆動装置

絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載

シンボル

説明

GD800SGT120C3S

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 °C

@ T C =80 について °C

1350

800

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1 Ms

1600

A について

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

@ T C =80 について °C

800

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

1600

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =1 75°C

4.44

KW

T jmax

交差点最大温度

175

°C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

°C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

°C

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

v

マウント 扭力

信号端回し螺栓:M4

平均 2.1

電力端末スクリュー:M8

平均値 10

N.M<br>

固定螺栓:M6

4.25 から 5.75

電気 特徴 IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載

特徴から外れている

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v (BR )CES

収集-発信

突入電圧

T j =25 °C

1200

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C

400

NA

特徴について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =32 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

v

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =800A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C

1.70

2.15

v

わかった C =800A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C

2.00

変形する特性

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =800A

r ゲン =3.6Ω,

r ゲッフ =0.91Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V,T j =25 °C

250

NS

T r

昇る時間

190

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

90

NS

T F

秋の時間

130

NS

e on

オン スイッチング

損失

58.1

mJ

e オフ

切断する

損失

85.4

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =800A r ゲン =3.6Ω,

r ゲッフ =0.91Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V,T j =125 について °C

260

NS

T r

昇る時間

200

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

810

NS

T F

秋の時間

210

NS

e on

オン スイッチング

損失

85.5

mJ

e オフ

切断する

損失

126

mJ

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

57.7

ロープ

C オーエス

輸出容量

3.02

ロープ

C res

逆転移転

容量

2.62

ロープ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V,

T j =125 について °C v 定電流 =900V

v 単数 ≤1200V

3200

A について

Q g

ゲートチャージ

v 定電流 =600V,I C =800A v 遺伝子組み換え =-15 +15V

7.4

微分

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.78

Ω

L CE

流れる誘導力

15

nH

r CC+EE

模板リード

抵抗力

ターミナルからチップへ

0.10

電気 特徴 ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =800A

T j =25 °C

1.65

2.10

v

T j = 125°C

1.65

Q r

回復した

充電

わかった F =800A

v r =600V

r g =3.6Ω,

v 遺伝子組み換え =15V

T j =25 °C

48.6

微分

T j =125 について °C

91.2

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

T j =25 °C

340

A について

T j =125 について °C

440

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

21.8

mJ

T j =125 について °C

41.3

熱特性 ics

シンボル

パラメータ

タイプする

マックス。

ユニット

r θ JC さん

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

33.8

電力量

r θ JC さん

交差点 (Dあたり) ヨード)

57.4

電力量

r θ CS

ケースからシンク (電導性油脂の適用) 嘘)

6

電力量

重量

重量 モジュール

1500

g

概要

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