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簡潔な紹介
IGBT モジュール STARPOWERによって製造されました。1700V 800A。
特徴
典型的な 申請
絶対値 最大 レーティング T C =25 O C しない限り 違うなら 記載
IGBT
シンボル | 説明 | 価値 | ユニット |
v CES | 集合器-放出器の電圧 | 1700 | v |
v 総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v |
わかった C | コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =80 について O C | 1050 800 | A について |
わかった cm | パルスコレクター電流 t P =1ms | 1600 | A について |
P D | 最大電源 消耗 @ T j =175 O C | 4.85 | KW |
ダイオード
シンボル | 説明 | 価値 | ユニット |
v RRM | 繰り返しのピーク逆電圧 | 1700 | v |
わかった F | ダイオード 連続前向き 賃貸 | 800 | A について |
わかった Fm | ダイオード最大順方向電流 t P =1ms | 1600 | A について |
モジュール
シンボル | 説明 | 価値 | ユニット |
T jmax | 交差点最大温度 | 175 | O C |
T ショウジョウ | 交差点の動作温度 | -40から+150 | O C |
T STG | 保管温度 航続距離 | -40から+125 | O C |
v ISO | 絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し | 4000 | v |
IGBT 特徴 T C =25 O C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかった C =800A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C |
| 2.50 | 2.95 |
v |
わかった C =800A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C |
| 3.00 |
| |||
わかった C =800A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C |
| 3.10 |
| |||
v 遺伝子組み換え (TH ) | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかった C =32.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C | 5.4 |
| 7.4 | v |
わかった CES | 収集家 カット -オフ 現在 | v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 O C |
|
| 5.0 | mA |
わかった 総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C |
|
| 400 | NA |
C ies | 入力容量 | v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V |
| 54.0 |
| ロープ |
C res | 逆転移転 容量 |
| 1.84 |
| ロープ | |
Q g | ゲートチャージ | v 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V |
| 6.2 |
| 微分 |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =900V,I C =800A r g = 1.5Ω v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C |
| 235 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 110 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 390 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 145 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 216 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 152 |
| mJ | |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =900V,I C =800A r g = 1.5Ω v 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C |
| 250 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 120 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 475 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 155 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 280 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 232 |
| mJ | |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =900V,I C =800A r g = 1.5Ω v 遺伝子組み換え =±15V T j = 150O C |
| 254 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 125 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 500 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 160 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 312 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 256 |
| mJ | |
わかった SC |
SC データ | T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C,V 定電流 = 1000V, v 単数 ≤1700V |
|
2480 |
|
A について |
ダイオード 特徴 T C =25 O C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v F | ダイオード 前向き 圧力は | わかった F =800A,V 遺伝子組み換え =0V, T j =25 O C |
| 1.80 | 2.25 |
v |
わかった F =800A,V 遺伝子組み換え =0V, T j = 125O C |
| 1.95 |
| |||
わかった F =800A,V 遺伝子組み換え =0V, T j = 150O C |
| 1.90 |
| |||
Q r | 回収された電荷 | v 定電流 =900V,I F =800A -di/dt=8400A/μs,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C |
| 232 |
| 微分 |
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 |
| 720 |
| A について | |
e レス | 逆転回復 エネルギー |
| 134 |
| mJ | |
Q r | 回収された電荷 | v 定電流 =900V,I F =800A -di/dt=8400A/μs,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C |
| 360 |
| 微分 |
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 |
| 840 |
| A について | |
e レス | 逆転回復 エネルギー |
| 222 |
| mJ | |
Q r | 回収された電荷 | v 定電流 =900V,I F =800A -di/dt=8400A/μs,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150O C |
| 424 |
| 微分 |
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 |
| 880 |
| A について | |
e レス | 逆転回復 エネルギー |
| 259 |
| mJ |
モジュール 特徴 T C =25 O C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
L CE | 流れる誘導力 |
| 20 |
| nH |
r CC+EE | モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ |
| 0.37 |
| mΩ |
r θ JC さん | ケース対ケース (IGBごとに) T) について 交差点 (Dあたり) ヨード) |
|
| 30.9 49.0 | 電力量 |
r θ CS | ケースからシンク (IGBT) ケースからシンク (ダイオードごとに) |
| 19.6 31.0 |
| 電力量 |
r θ CS | ケースからシンク |
| 6.0 |
| 電力量 |
m | 端末接続トーク スクロールM4 端子接続 トルク、 スクロール M8 固定トーク 六角ボルトM6 | 1.8 8.0 4.25 |
| 2.1 10 5.75 |
N.M<br> |
g | 重量 の モジュール |
| 1500 |
| g |
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