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IGBT モジュール,1200V 450A
特徴
典型的な 申請
絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | 説明 | GD450HFT120C6S_G8 | ユニット |
v CES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v |
v 総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±30 | v |
わかった C | コレクタ電流 @ T C =25 °C @ T C =100 °C | 660 450 | A について |
わかった cm | パルスコレクター電流 t P =1ms | 900 | A について |
わかった F | ダイオード 連続前向きCu rrent | 450 | A について |
わかった Fm | ダイオード最大順方向電流 t P =1ms | 900 | A について |
P D | 最大電源 消耗 @ T j =17 5°C | 2083 | W について |
T jmax | 交差点最大温度 | 175 | °C |
T ショウジョウ | 交差点の動作温度 | -40から+150 | °C |
T STG | 保管温度範囲 | -40から+125 | °C |
v ISO | 絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分 | 2500 | v |
m | 端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5 | 平均的な 6.0 平均的な 6.0 | N.M<br> |
g | 重量 の モジュール | 910 | g |
電気 特徴 の IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v (BR )CES | 収集-発信 突入電圧 | T j =25 °C | 1200 |
|
| v |
わかった CES | 収集家 カット -オフ 現在 | v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C |
|
| 5.0 | mA |
わかった 総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C |
|
| 400 | NA |
特徴について
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v 遺伝子組み換え (TH ) | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかった C =18.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 °C | 5.0 | 5.6 | 6.5 | v |
v 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C |
| 1.70 | 2.15 |
v |
わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C |
| 1.95 |
|
変形する特性
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =450A r g =1.5Ω v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 °C |
| 360 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 140 |
| NS | |
T 消して | 切断する 遅延時間 |
| 550 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 146 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 11.5 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 48.0 |
| mJ | |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =450A r g =1.5Ω v 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について °C |
| 374 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 147 |
| NS | |
T 消して | 切断する 遅延時間 |
| 623 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 178 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 17.9 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 64.5 |
| mJ | |
C ies | 入力容量 | v CE =30V,f=1MHz, v 遺伝子組み換え =0V |
| 39.0 |
| ロープ |
C res | 逆転移転 容量 |
| 1.26 |
| ロープ | |
わかった SC |
SC データ | T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C バイト 定電流 =900V v 単数 ≤1200V |
|
1800 |
|
A について |
r ゲント | 内部ゲート抵抗 アンス |
|
| 0.67 |
| Ω |
L CE | 流れる誘導力 |
|
| 20 |
| nH |
r CC+EE | 模板リード 抵抗力 ターミナルからチップへ |
|
|
1.10 |
|
mΩ |
電気 特徴 の ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット | |
v F | ダイオード 前向き 圧力は | わかった F =450A | T j =25 °C |
| 1.65 | 2.25 | v |
T j =125 について °C |
| 1.65 |
| ||||
Q r | 回復した 充電 |
わかった F =450A v r =600V r g =1.5Ω v 遺伝子組み換え =15V | T j =25 °C |
| 41.6 |
| 微分 |
T j =125 について °C |
| 77.5 |
| ||||
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 | T j =25 °C |
| 241 |
| A について | |
T j =125 について °C |
| 325 |
| ||||
e レス | 逆転回復 エネルギー | T j =25 °C |
| 23.2 |
| mJ | |
T j =125 について °C |
| 43.1 |
| ||||
NTC T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
r 25 | 定数抵抗 |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | 偏差 の r 100 | r 100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P 25 | パワー消費 |
|
|
| 20.0 | mW |
B について 25/50 | B値 | r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から |
| 3375 |
| K |
熱特性 ティックス
シンボル | パラメータ | タイプする | マックス。 | ユニット |
r θ JC さん | ケース対ケース (IGBごとに) T) について |
| 0.072 | 総量 |
r θ JC さん | ケースへの接点 (DIあたり) オーデ) |
| 0.110 | 総量 |
r θ CS | ケースからシンクまで プレイス | 0.005 |
| 総量 |
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