GD450HFL170C2S、IGBTモジュール、STARPOWER

IGBTモジュール 1700V

GD450HFL170C2S、IGBTモジュール、STARPOWER

1700V 450A

Brand:

ストアパワー

Spu:

GD450HFL170C2S

はじめに
概要

はじめに

簡潔な紹介

IGBT モジュール , STARPOWERによって製造されました。1700V 450A。

特徴

低VCE (座っている) SPT+ IGBT テクノロジー
10μs短回路能力
衛星の VCE (衛星) 持ってるポジティブ温度係数
最大接合温度 175oC
低感受性ケース
速くて柔らかい逆回復対称性のないFWD
DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的な 申請

モータードライブ用インバータ
風力タービン
高出力コンバータ

絶対値 最大 レーティング T C =25 O C しない限り違うなら記載

IGBT

シンボル	説明	価値	ユニット
総額	集合器-放出器の電圧	1700	v
VGES	ゲート・エミッター・ボルト	±20	v
集積回路	コレクタ電流 @ TC=25oC @ TC=95oC	683 450	A について
ICM	パルスコレクタ電流 tp=1ms	900	A について
病状	最大電力損失	2678	W について

ダイオード

シンボル	説明	価値	ユニット
v RRM	繰り返しのピーク逆電圧	1700	v
わかった F	ダイオード連続前向き賃貸	450	A について
わかった Fm	ダイオード最大順方向電流 t P =1ms	900	A について

モジュール

シンボル	説明	価値	ユニット
T jmax	交差点最大温度	175	O C
T ショウジョウ	交差点の動作温度	-40から+150	O C
T STG	保管温度航続距離	-40から+125	O C
v ISO	絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し	4000	v

IGBT 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
衛星の VCE (衛星)	収集機から発信機へ飽和電圧	IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC		2.00	2.45	v
		IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC		2.40
		IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC		2.50
総額は	ゲート-エミッタ閾値電圧	IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC	5.4	6.1	7.4	v
ICES	収集器の切断現在	VCE=VCES,VGE=0V Tj=25°C			5.0	mA
ゲノム	ゲート-エミッタリーク電流	VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC			400	NA
RGint について	内部ゲート抵抗			0.3		Ω
サイエス	入力容量	VCE=25V,f=1Mhz, VGE=0V		30.0		ロープ
クレス	逆転移転容量	VCE=25V,f=1Mhz, VGE=0V		1.08		ロープ
司令部	ゲートチャージ	VGE=-15...+15V		2.70		微分
オン (オン)	オンする遅延時間	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC		504		NS
について	昇る時間			183		NS
消して	オフ遅延時間			616		NS
TF	秋の時間			188		NS
エオン	オン切り替え損失			126		mJ
オーフ	切断する損失			89		mJ
オン (オン)	オンする遅延時間	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC		506		NS
について	昇る時間			194		NS
消して	オフ遅延時間			704		NS
TF	秋の時間			352		NS
エオン	オン切り替え損失			162		mJ
オーフ	切断する損失			124		mJ
オン (オン)	オンする遅延時間	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC		510		NS
について	昇る時間			198		NS
消して	オフ遅延時間			727		NS
TF	秋の時間			429		NS
エオン	オン切り替え損失			174		mJ
オーフ	切断する損失			132		mJ
短絡電流	SC データ	試験用電池の電源が電源の電源を供給する電源が電源を供給する電源が電源を供給する電源が電源を供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源 Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V		1440		A について

ダイオード 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
v F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C		1.87	2.32	v
		わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125O C		2.00
		わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150O C		2.05
Q r	回収された電荷	v r =900V,I F =450A -di/dt=3000A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C		107		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			519		A について
e レス	逆転回復エネルギー			75		mJ
Q r	回収された電荷	v r =900V,I F =450A -di/dt=3000A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125O C		159		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			597		A について
e レス	逆転回復エネルギー			113		mJ
Q r	回収された電荷	v r =900V,I F =450A -di/dt=3000A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j = 150O C		170		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			611		A について
e レス	逆転回復エネルギー			119		mJ

モジュール 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット
L CE	流れる誘導力			20	nH
r CC+EE	モジュールリード抵抗,端末からチップ		0.35		mΩ
r thJC	ケース対ケース (IGBごとに) T) について交差点 (Dあたり) ヨード)			0.056 0.112	総量
r thCH	ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）ケースからヒートシンクへの（per モジュール)		0.105 0.210 0.035		総量
m	端末接続トーク六角ボルトM6 固定トーク六角ボルトM6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M<br>
g	重量のモジュール		300		g