IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±30

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

655

400

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P = 1ミリ秒

800

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 O C

2205

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

300

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

600

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

650

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C =70 O C

515

400

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P = 1ミリ秒

800

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 O C

1304

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧

650

v

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

400

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

800

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.70

2.15

v

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

1.95

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.00

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C = 16.0mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.0

5.7

6.5

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.6

Ω

C ies

入力容量

v CE =30V,f=1MHz,

v 遺伝子組み換え =0V

40.5

ロープ

C res

逆転移転

容量

1.14

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =15V

2.22

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =400A, r g =2.0Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

408

NS

T r

昇る時間

119

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

573

NS

T F

秋の時間

135

NS

e on

オン スイッチング

損失

10.5

mJ

e オフ

切断する

損失

36.2

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =400A, r g =2.0Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C

409

NS

T r

昇る時間

120

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

632

NS

T F

秋の時間

188

NS

e on

オン スイッチング

損失

13.2

mJ

e オフ

切断する

損失

53.6

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =400A, r g =2.0Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j = 150O C

410

NS

T r

昇る時間

123

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

638

NS

T F

秋の時間

198

NS

e on

オン スイッチング

損失

14.4

mJ

e オフ

切断する

損失

56.1

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V 定電流 =900V v 単数 ≤1200V

1600

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

v

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125O C

1.65

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

回復した

充電

v r =600V,I F =300A

-di/dt=5200A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 O C

34.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

280

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

19.5

mJ

Q r

回復した

充電

v r =600V,I F =300A

-di/dt=5200A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 125O C

55.6

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

350

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

29.8

mJ

Q r

回復した

充電

v r =600V,I F =300A

-di/dt=5200A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 150O C

63.6

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

368

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

34.0

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.45

1.90

v

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

1.60

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

1.70

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =6.4 について mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.1

5.8

6.4

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.0

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

12.7

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.73

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

4.30

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =300V,I C =400A, r g = 1.8Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

102

NS

T r

昇る時間

79

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

458

NS

T F

秋の時間

49

NS

e on

オン スイッチング

損失

2.88

mJ

e オフ

切断する

損失

12.9

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =300V,I C =400A, r g = 1.8Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C

111

NS

T r

昇る時間

80

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

505

NS

T F

秋の時間

70

NS

e on

オン スイッチング

損失

4.20

mJ

e オフ

切断する

損失

16.0

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =300V,I C =400A, r g = 1.8Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V T j = 150O C

120

NS

T r

昇る時間

80

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

510

NS

T F

秋の時間

80

NS

e on

オン スイッチング

損失

4.50

mJ

e オフ

切断する

損失

17.0

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤6μs v 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V 定電流 =360V v 単数 ≤600V

2000

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.55

2.00

v

わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125O C

1.50

わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150O C

1.45

Q r

回復した

充電

v r =300V,I F =400A,

-di/dt=5500A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 O C

18.2

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

215

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

3.58

mJ

Q r

回復した

充電

v r =300V,I F =400A,

-di/dt=5500A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 125O C

29.8

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

280

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

7.26

mJ

Q r

回復した

充電

v r =300V,I F =400A,

-di/dt=5500A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 150O C

34.2

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

300

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

8.30

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r thJC

交差点からケース (T1あたり) T2 IGBT)

交差点とケース (D1,D2 Dio 単位で) de) について

交差点からケース (T3あたり) T4 IGBT)

ケースへの接点 (D3,D4 Dioごとに) de) について

0.068

0.138

0.115

0.195

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per T1,T2 IGBT)

ケースからヒートシンク (D1,D2あたり) ダイオード)

ケースからヒートシンクへの（per T3,T4 IGBT)

ケースからヒートシンク (D3,D4あたり) ダイオード)

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.136

0.276

0.230

0.391

0.028

総量

m

固定トーク 六角ボルトM6

端末接続トーク スクロール M5

3.0

2.5

6.0

5.0

N.M<br>