IGBTモジュール 1700V

シンボル

説明

GD400SGT170C2S

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1700

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

± 20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C = 25°C

@ T C =80 について °C

700

A について

400

わかった cm (1)

パルスコレクター電流 t P =1ms

800

A について

わかった F

ダイオード 連続前流

400

A について

わかった Fm

ダイオード 最大前向き回転 賃貸

800

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j = 175°C

3000

W について

T SC

短回路 耐える時間 @ T j =125 について °C

10

μs

T jmax

交差点最大温度

175

°C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

°C

わかった 2t値,ダイオード

v r =0V,t=10ms,T j =125 について °C

25500

A について 2s

v ISO

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

4000

v

固定トルク

電力端末スクリュー:M4

電力端末スクリュー:M6

1.1 から 2.0

2.5から 5.0

N.M<br>

マウント スクリュー:M6

平均的な 5.0

N.M<br>

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v (BR )CES

収集-発信

突入電圧

v 遺伝子組み換え =0V わかった C = 14mA, T j =25 °C

1700

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C

3.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ

現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C

400

NA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値

圧力は

わかった C = 16mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 °C

5.2

5.8

6.4

v

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C

2.00

2.45

v

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125°C

2.40

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =900V,I C =400A,

278

NS

T r

昇る時間

r g =3.6Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15 V,

81

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

T j =25 °C

802

NS

T F

秋の時間

v 定電流 =900V,I C =400A, r g =3.6Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15 V, T j =25 °C

119

NS

e on

オン 切り替え

損失

104

mJ

e オフ

切断する

損失

86

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =900V,I C =400A, r g =3.6Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15 V, T j = 125°C

302

NS

T r

昇る時間

99

NS

T 消して

切断する 遅延時間

1002

NS

T F

秋の時間

198

NS

e on

オン 切り替え

損失

136

mJ

e オフ

切断する

損失

124

mJ

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

36

ロープ

C オーエス

輸出容量

1.5

ロープ

C res

逆転移転

容量

1.2

ロープ

わかった SC

SC データ

T s C ≤ 10μs, v 遺伝子組み換え =15V

T j =125 について °C バイト 定電流 = 1000V, v 単数 ≤ 1700V

1600

A について

r ゲント

内部ゲート抵抗 タンス

1.9

Ω

L CE

流れる誘導力

20

nH

r 定電流 + ロープ ’

モジュール鉛抵抗 これ、 ターミナルからチップへ

T C =25 °C

0.18

m Ω

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =400A

T j =25 °C

1.80

2.20

v

T j = 125°C

1.90

Q r

逆ダイオード

リカバリーチャージ

わかった F =400A,

v r =900 V,

di/dt=-4250A/μs, v 遺伝子組み換え =- やってる 15V

T j =25 °C

99

微分

T j = 125°C

172

わかった ロープ

ダイオードピーク

逆転回復 現在

T j =25 °C

441

A について

T j = 125°C

478

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

53

mJ

T j = 125°C

97

シンボル

パラメータ

タイプする

マックス。

ユニット

r θ JC さん

接続 (IGBT 部分,pe) 模块)

0.05

総量

r θ JC さん

ユニオン・トゥ・ケース (モジュールごとにDIOD部品) について

0.09

総量

r θ CS

ケースからシンク (電導性油脂) 回答しました)

0.035

総量

重量

重量 の モジュール

300

g