IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±30

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

520

300

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

600

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 O C

1807

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

300

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

600

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.70

2.15

v

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

1.95

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.00

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C = 電気回路 CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.0

5.6

6.5

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.5

Ω

C ies

入力容量

v CE =30V,f=1MHz,

v 遺伝子組み換え =0V

28.6

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.92

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =15V

1.92

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =300A r g =2.2Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

331

NS

T r

昇る時間

105

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

521

NS

T F

秋の時間

124

NS

e on

オン スイッチング

損失

6.30

mJ

e オフ

切断する

損失

27.3

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =300A r g =2.2Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C

327

NS

T r

昇る時間

110

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

575

NS

T F

秋の時間

166

NS

e on

オン スイッチング

損失

10.6

mJ

e オフ

切断する

損失

34.6

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =300A r g =2.2Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j = 150O C

318

NS

T r

昇る時間

111

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

586

NS

T F

秋の時間

185

NS

e on

オン スイッチング

損失

11.5

mJ

e オフ

切断する

損失

37.0

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V 定電流 =900V v 単数 ≤1200V

1200

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

v

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125O C

1.85

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150O C

1.85

Q r

回収された電荷

v 定電流 =600V,I F =300A

-di/dt=2900A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 O C

29.3

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

236

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

14.8

mJ

Q r

回収された電荷

v 定電流 =600V,I F =300A

-di/dt=2900A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 125O C

52.8

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

302

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

26.4

mJ

Q r

回収された電荷

v 定電流 =600V,I F =300A

-di/dt=2900A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 150O C

60.8

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

322

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

30.4

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.18

mΩ

r thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.083

0.111

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.061

0.082

0.035

総量

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

300

g