IGBTモジュール 1700V

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1700

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

490

300

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

600

A について

P D

最大電源 消耗 @ T =175 O C

2027

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

2.40

2.85

v

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

2.80

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.90

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C = 電気回路 CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.4

6.2

7.4

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

20.3

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.69

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

2.31

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =900V,I C =300A r g =4.7Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

200

NS

T r

昇る時間

97

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

410

NS

T F

秋の時間

370

NS

e on

オン スイッチング

損失

82.0

mJ

e オフ

切断する

損失

60.0

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =900V,I C =300A r g =4.7Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C

250

NS

T r

昇る時間

99

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

630

NS

T F

秋の時間

580

NS

e on

オン スイッチング

損失

115

mJ

e オフ

切断する

損失

90.0

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =900V,I C =300A r g =4.7Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j = 150O C

260

NS

T r

昇る時間

105

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

670

NS

T F

秋の時間

640

NS

e on

オン スイッチング

損失

125

mJ

e オフ

切断する

損失

100

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V 定電流 = 1000V, v 単数 ≤1700V

1200

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

v

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125O C

1.95

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =300A

-di/dt=2800A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 O C

90.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

270

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

45.0

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =300A

-di/dt=2800A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 125O C

135

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

315

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

75.5

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =300A

-di/dt=2800A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 150O C

160

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

330

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

84.0

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の r 100

T C = 100O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

パワー消費

20.0

mW

B について 25/50

B値

r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2-

半角形から

3375

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

1.10

mΩ

r θ JC さん

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.074

0.121

総量

r θ CS

ケースからシンク (IGBT)

ケースからシンク (ダイオードごとに)

0.029

0.047

総量

r θ CS

ケースからシンク

0.009

総量

m

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク 六角ボルトM6

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M<br>

g

重量 モジュール

350

g