IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

GD225HTT120C7S

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧 @ T j =25 °C

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト @ T j =25 °C

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 °C

@ T C =80 について °C

400

225

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1 Ms

450

A について

P tot

総電源分散 @ T j =175 °C

1442

W について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v (BR )CES

収集-発信

突入電圧

T j =25 °C

1200

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C

400

NA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =9.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

v

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =225A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C

1.70

2.15

v

わかった C =225A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C

2.00

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =225A, r g =3.3Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 °C

251

NS

T r

昇る時間

89

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

550

NS

T F

秋の時間

125

NS

e on

オン スイッチング 損失

/

mJ

e オフ

切断する 損失

/

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =225A, r g =3.3Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について °C

305

NS

T r

昇る時間

100

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

660

NS

T F

秋の時間

162

NS

e on

オン スイッチング 損失

15.1

mJ

e オフ

切断する 損失

35.9

mJ

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

16.0

ロープ

C オーエス

輸出容量

0.84

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.73

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 定電流 =600V,I C =225A, v 遺伝子組み換え =15V

2.1

微分

r ゲント

内部ゲートレジスタ

3.3

Ω

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V,

T j =125 について °C v 定電流 =900V v 単数 ≤1200V

900

A について

シンボル

説明

GD225HTT120C7S

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧 @ T j =25 °C

1200

v

わかった F

DC順方向電流 @ T C =80 について °C

225

A について

わかった FRM

繰り返しピーク順方向電流 t P =1ms

450

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =225A,

v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 °C

1.65

2.15

v

T j =125 について °C

1.65

Q r

回収された電荷

わかった F =225A,

v r =600V

r g =3.3Ω

v 遺伝子組み換え =15V

T j =25 °C

22

微分

T j =125 について °C

43

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

T j =25 °C

160

A について

T j =125 について °C

198

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

11.2

mJ

T j =125 について °C

19.9

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の r 100

r 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

パワー消費

20.0

mW

B について 25/50

B値

r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2-

半角形から

3375

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

2500

v

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

モジュールリード抵抗 端子からチップへ @ T C =25 °C

1.10

mΩ

r θ JC さん

接合部-ケース (IGBTインバータごと) 接合部-ケース (ダイオードインバータごと ）

0.104

0.173

総量

r θ CS

ケースからシンク (電導性油脂の適用) 嘘)

0.005

総量

T jmax

交差点最大温度

175

°C

T STG

保管温度 航続距離

-40

125

°C

マウント 扭力

電力端末スクリュー:M6

マウント ネジ:M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M<br>

g

重さ モジュール

910

g