IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

GD225HTL120C7S

ユニット

v CES

コレクタ-エミッタ電圧 @ T j =25 °C

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

± 20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

400

225

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

450

A について

P tot

総電力損失 @ T j = 175°C

1973

W について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v (BR )CES

収集-発信

突入電圧

T j =25 °C

1200

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ

現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C

400

NA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値

圧力は

わかった C =9.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 °C

5.0

6.2

7.0

v

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =225A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C

1.90

2.35

v

わかった C =225A,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125°C

2.10

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

2.3

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =225A, r g =5.0Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15 V, T j =25 °C

168

NS

T r

昇る時間

75

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

440

NS

T F

秋の時間

55

NS

e on

オン 切り替え

損失

27.9

mJ

e オフ

切断する

損失

37.2

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =225A, r g =5.0Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15 V, T j = 125°C

176

NS

T r

昇る時間

75

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

510

NS

T F

秋の時間

75

NS

e on

オン 切り替え

損失

13.5

mJ

e オフ

切断する

損失

22.5

mJ

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

16.6

ロープ

C オーエス

輸出容量

1.20

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.78

ロープ

わかった SC

SC データ

T s C ≤ 10μs,V 遺伝子組み換え ≤ 15 V, T j =125 について °C バイト 定電流 =600V v 単数 ≤ 1200V

1050

A について

r ゲント

内部ゲート抵抗 タンス

1.0

Ω

シンボル

説明

GD225HTL120C7S

ユニット

v RRM

コレクタ-エミッタ電圧 @ T j =25 °C

1200

v

わかった F

DC順方向電流 @ T C =80 について °C

225

A について

わかった FRM

繰り返しピーク順方向電流 t P =1ms

450

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =225A, v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 °C

1.80

2.20

v

T j = 125°C

1.85

Q r

回収された電荷

v r =600 について V,

わかった F =225A,

r g =5.0Ω,

v 遺伝子組み換え =- やってる 15V

T j =25 °C

30

微分

T j = 125°C

57

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

T j =25 °C

195

A について

T j = 125°C

255

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

10.8

mJ

T j = 125°C

22.5

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の r 100

T C = 100°C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

パワー消費

20.0

mW

B について 25/50

B値

r 2=R 25について 25/50 1/T 2- 労働力 5K))]

3375

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v ISO

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

2500

v

L CE

流れる誘導力

20

nH

r 定電流 + ロープ ’

モジュール リード抵抗 端末からチップ @ T C =25 °C

1.1

m Ω

r θ JC さん

ケース対ケース (IGごとに) 国内外

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.076

0.154

総量

r θ CS

ケースからヒートシンクまで (導電性グリース 適用)

0.005

総量

T jmax

交差点最大温度

175

°C

T STG

保管温度範囲

-40

125

°C

マウント

扭力

電力端末スクリュー:M5

3.0

6.0

N.M<br>

マウント スクリュー:M6

3.0

6.0

N.M<br>

重量

重量 の モジュール

910

g