IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

GD200MLT120C2S

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧 @ T j =25 °C

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト @ T j =25 °C

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 °C

@ T C =80 について °C

360

200

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1 Ms

400

A について

P tot

総電源分散 @ T j =175 °C

1163

W について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v (BR )CES

収集-発信

突入電圧

T j =25 °C

1200

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C

400

NA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =8.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

v

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C

1.70

2.15

v

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C

2.00

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g =3.6Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 °C

248

NS

T r

昇る時間

88

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

540

NS

T F

秋の時間

131

NS

e on

オン スイッチング 損失

9.85

mJ

e オフ

切断する 損失

22.8

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g =3.6Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125°C

298

NS

T r

昇る時間

99

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

645

NS

T F

秋の時間

178

NS

e on

オン スイッチング 損失

15.1

mJ

e オフ

切断する 損失

34.9

mJ

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

14.4

ロープ

C オーエス

輸出容量

0.75

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.65

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 定電流 =600V,I C =200A, v 遺伝子組み換え =-15 ﹍+15V

1.90

微分

r ゲント

内部ゲートレジスタ

3.8

Ω

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V,

T j =125 について °C,V 定電流 =900V v 単数 ≤1200V

800

A について

シンボル

説明

GD200MLT120C2S

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧 @ T j =25 °C

1200

v

わかった F

DC順方向電流 T C =8 0°C

200

A について

わかった FRM

繰り返しピーク順方向電流 t P =1ms

400

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =200A

T j =25 °C

1.65

2.10

v

T j =125 について °C

1.65

Q r

回収された電荷

わかった F =200A,

v r =600V

r g =3.6Ω,

v 遺伝子組み換え =15V

T j =25 °C

20.0

微分

T j =125 について °C

26.1

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

T j =25 °C

151

A について

T j =125 について °C

190

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

9.20

mJ

T j =125 について °C

17.1

シンボル

説明

GD200MLT120C2S

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧 @ T j =25 °C

1200

v

わかった F

DC順方向電流 T C =8 0°C

200

A について

わかった FRM

繰り返しピーク順方向電流 t P =1ms

400

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =200A,

v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 °C

1.65

2.10

v

T j =125 について °C

1.65

Q r

回収された電荷

わかった F =200A,

v r =600V

r g =3.6Ω,

v 遺伝子組み換え =15V

T j =25 °C

20.0

微分

T j =125 について °C

26.1

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

T j =25 °C

151

A について

T j =125 について °C

190

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

9.20

mJ

T j =125 について °C

17.1

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

v

r θ JC さん

IGBTごとの接合部-ケース (T1 T2 T3 T4) ダイオードごとの接合部-ケース (D1 D2 D3 D4) ダイオードごとの接合部-ケース (D5 D6)

0.129 0.237 0.232

総量

r θ CS

ケースからシンク (電導性油脂の適用) 嘘)

0.035

総量

T jmax

交差点最大温度

175

°C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40

150

T STG

保管温度 航続距離

-40

125

°C

マウント 扭力

電力端末スクリュー:M6

固定螺栓:M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

重量

重量 モジュール

340

g