IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±30

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

310

200

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

400

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 O C

1034

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

200

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

400

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

2500

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.70

2.15

v

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

1.95

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.00

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =8.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.0

5.8

6.5

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.0

Ω

C ies

入力容量

v CE =30V,f=1MHz,

v 遺伝子組み換え =0V

18.2

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.56

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =15V

1.20

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g =3.0Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

213

NS

T r

昇る時間

64

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

280

NS

T F

秋の時間

180

NS

e on

オン スイッチング

損失

4.10

mJ

e オフ

切断する

損失

16.3

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g =3.0Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C

285

NS

T r

昇る時間

78

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

363

NS

T F

秋の時間

278

NS

e on

オン スイッチング

損失

7.40

mJ

e オフ

切断する

損失

23.0

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g =3.0Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150O C

293

NS

T r

昇る時間

81

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

374

NS

T F

秋の時間

327

NS

e on

オン スイッチング

損失

8.70

mJ

e オフ

切断する

損失

25.2

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V 定電流 =900V v 単数 ≤1200V

800

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.70

2.15

v

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125O C

1.65

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

回収された電荷

v 定電流 =600V,I F =200A,

-di/dt=5500A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 O C

17.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

245

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

8.00

mJ

Q r

回収された電荷

v 定電流 =600V,I F =200A,

-di/dt=5500A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 125O C

32.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

260

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

14.0

mJ

Q r

回収された電荷

v 定電流 =600V,I F =200A,

-di/dt=5500A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 150O C

37.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

265

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

15.3

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の r 100

T C = 100O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

パワー消費

20.0

mW

B について 25/50

B値

r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2-

半角形から

3375

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

30

nH

r CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

2.20

mΩ

r thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.145

0.243

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.064

0.107

0.02

総量

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0

2.5

6.0

5.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

200

g