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簡潔な紹介
IGBT モジュール ,STARPOWERによって製造。1200V 200A. 本当
特徴
典型的な用途
絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | 説明 | GD200HFT120C2S_T4 | ユニット |
v CES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v |
v 総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v |
わかった C | コレクタ電流 @ T C =25 °C @ T C = 100°C | 320 200 | A について |
わかった cm | パルスコレクター電流 t P =1 Ms | 400 | A について |
わかった F | ダイオード 連続前向き 賃貸 | 200 | A について |
わかった Fm | ダイオード最大順方向電流 t P =1ms | 400 | A について |
P D | 最大電源 消耗 @ T j =1 75°C | 1103 | W について |
T jmax | 交差点最大温度 | 175 | °C |
T ショウジョウ | 交差点の動作温度 | -40から+150 | °C |
T STG | 保管温度 航続距離 | -40から+125 | °C |
v ISO | 絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し | 4000 | v |
マウント 扭力 | 電力端末スクリュー:M6 固定螺栓:M6 | 2.5から 5.0 平均的な 5.0 | N.M<br> |
電気 特徴 の IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v (BR )CES | 収集-発信 突入電圧 | T j =25 °C | 1200 |
|
| v |
わかった CES | 収集家 カット -オフ 現在 | v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C |
|
| 5.0 | mA |
わかった 総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C |
|
| 400 | NA |
特徴について
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v 遺伝子組み換え (TH ) | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかった C =7.6 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 °C | 5.2 | 5.8 | 6.4 | v |
v 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C |
| 1.75 | 2.20 |
v |
わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C |
| 2.05 |
|
変形する特性
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =200A, r g =2.4Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 °C |
| 162 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 39 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 451 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 98 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 10.1 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 13.9 |
| mJ | |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =200A, r g =2.4Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について °C |
| 171 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 45 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 522 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 160 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 15.2 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 20.0 |
| mJ | |
C ies | 入力容量 | v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V |
| 12.3 |
| ロープ |
C オーエス | 輸出容量 |
| 0.81 |
| ロープ | |
C res | 逆転移転 容量 |
| 0.69 |
| ロープ | |
わかった SC |
SC データ | T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V, T j =125 について °C v 定電流 =900V v 単数 ≤1200V |
|
800 |
|
A について |
Q g | ゲートチャージ | v 遺伝子組み換え =-15 ﹍+15V |
| 1.81 |
| 微分 |
r ゲント | 内部ゲート抵抗 アンス |
|
| 3.8 |
| Ω |
L CE | 流れる誘導力 |
|
|
| 20 | nH |
r CC+EE | 模板リード 抵抗力 ターミナルからチップへ |
|
|
0.35 |
| mΩ |
電気 特徴 の ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット | |
v F | ダイオード 前向き 圧力は | わかった F =200A v 遺伝子組み換え =0V | T j =25 °C |
| 1.65 | 2.10 | v |
T j =125 について °C |
| 1.65 |
| ||||
Q r | 回復した 充電 | わかった F =200A, v r =600V r g =2.4Ω, v 遺伝子組み換え =15V | T j =25 °C |
| 20.1 |
| 微分 |
T j =125 について °C |
| 32.0 |
| ||||
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 | T j =25 °C |
| 232 |
| A について | |
T j =125 について °C |
| 248 |
| ||||
e レス | 逆転回復 エネルギー | T j =25 °C |
| 9.00 |
| mJ | |
T j =125 について °C |
| 17.6 |
| ||||
熱特性 ics
シンボル | パラメータ | タイプする | マックス。 | ユニット |
r θ JC さん | ケース対ケース (IGBごとに) T) について |
| 0.136 | 総量 |
r θ JC さん | 交差点 (Dあたり) ヨード) |
| 0.202 | 総量 |
r θ CS | ケースからシンク (電導性油脂の適用) 嘘) | 0.035 |
| 総量 |
重量 | 重量 モジュール | 300 |
| g |
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