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簡潔な紹介
IGBT モジュール ,STARPOWERによって製造。1200V 200A. 本当
特徴
典型的な用途
絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | 説明 | GD200HFL120C2S | ユニット |
v CES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v |
v 総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ± 20 | v |
わかった C | コレクタ電流 @ T C = 25°C @ T C = 100°C | 360 | A について |
200 | |||
わかった cm | パルスコレクター電流 t P =1ms | 400 | A について |
わかった F | ダイオード 連続前流 | 200 | A について |
わかった Fm | ダイオード 最大前向き回転 賃貸 | 400 | A について |
P D | 最大電源 消耗 @ T j = 175°C | 1364 | W について |
T j | 交差点最大温度 | 175 | °C |
T ショウジョウ | 交差点の動作温度 | -40から+150 | °C |
T STG | 保管温度範囲 | -40から+125 | °C |
v ISO | 隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分 | 4000 | v |
固定トルク | 電力端末スクリュー:M6 | 2.5から 5.0 | N.M<br> |
マウント スクリュー:M6 | 平均的な 5.0 | N.M<br> |
電気 特徴 の IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v (BR )CES | 収集-発信 突入電圧 | T j =25 °C | 1200 |
|
| v |
わかった CES | 収集家 カット -オフ 現在 | v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C |
|
| 5.0 | mA |
わかった 総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C |
|
| 400 | NA |
特徴について
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v 遺伝子組み換え (TH ) | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかった C =8.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 °C | 5.0 | 6.2 | 7.0 | v |
v 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C |
| 1.90 | 2.35 |
v |
わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j = 125°C |
| 2.10 |
|
変形する特性
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =200A, r g =5.1Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15 V, T j =25 °C |
| 437 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 75 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 436 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 165 |
| NS | |
e on | オン 切り替え 損失 |
| 10.0 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 15.0 |
| mJ | |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =200A, r g =5.1Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15V T j = 125°C |
| 445 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 96 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 488 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 258 |
| NS | |
e on | オン 切り替え 損失 |
| 15.9 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 22.3 |
| mJ | |
C ies | 入力容量 |
v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V |
| 14.9 |
| ロープ |
C オーエス | 輸出容量 |
| 1.04 |
| ロープ | |
C res | 逆転移転 容量 |
| 0.68 |
| ロープ | |
わかった SC |
SC データ | T s C ≤ 10μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C バイト 定電流 =900V v 単数 ≤ 1200V |
|
1200 |
|
A について |
r ゲント | 内部ゲート抵抗 タンス |
|
| 1.0 |
| Ω |
L CE | 流れる誘導力 |
|
|
| 20 | nH |
r 定電流 + ロープ ’ | モジュール鉛抵抗 これ、 ターミナルからチップへ | T C =25 °C |
| 0.35 |
| m Ω |
電気 特徴 の ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット | |
v F | ダイオード 前向き 圧力は | わかった F =200A | T j =25 °C |
| 1.82 | 2.25 | v |
T j = 125°C |
| 1.95 |
| ||||
Q r | 回収された電荷 |
わかった F =200A, v r =600 について V, di/dt=-2370A/μs, v 遺伝子組み換え =- やってる 15V | T j =25 °C |
| 16.6 |
| 微分 |
T j = 125°C |
| 29.2 |
| ||||
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 | T j =25 °C |
| 156 |
| A について | |
T j = 125°C |
| 210 |
| ||||
e レス | 逆転回復 エネルギー | T j =25 °C |
| 9.3 |
| mJ | |
T j = 125°C |
| 16.0 |
| ||||
熱特性 ics
シンボル | パラメータ | タイプする | マックス。 | ユニット |
r θ JC さん | ケース対ケース (IGごとに) 国内外 |
| 0.11 | 総量 |
r θ JC さん | ケースへの接点 (DIあたり) オーデ) |
| 0.14 | 総量 |
r θ CS | ケースからシンク (電導性油脂) 回答しました) | 0.035 |
| 総量 |
重量 | 重量 の モジュール | 300 |
| g |
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