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簡潔な紹介
IGBT モジュール ,STARPOWERによって製造。1200V 200A. 本当
特徴
典型的な用途
絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | 説明 | GD200HFK60C8SN | ユニット |
v CES | 集合器-放出器の電圧 | 600 | v |
v 総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v |
わかった C | コレクタ電流 @ T C =25 °C @ T C =80 について °C | 283 200 | A について |
わかった cm | パルスコレクター電流 t P =1 Ms | 400 | A について |
わかった F | ダイオード 連続前向き 賃貸 | 200 | A について |
わかった Fm | ダイオード最大順方向電流 t P =1ms | 400 | A について |
P D | 最大電源 消耗 @ T j =1 50°C | 714 | W について |
T jmax | 交差点最大温度 | 150 | °C |
T ショウジョウ | 交差点の動作温度 | -40から+125 | °C |
T STG | 保管温度範囲 | -40から+125 | °C |
v ISO | 絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し | 2500 | v |
マウント 扭力 | 電力端末スクリュー:M5 取り付けねじ:M5 | 2.5から 3.5 2.5から 3.5 | N.M<br> |
重量 | 重さ モジュール | 200 | g |
電気 特徴 の IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v (BR )CES | 収集-発信 突入電圧 | T j =25 °C | 600 |
|
| v |
わかった CES | 収集家 カット -オフ 現在 | v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C |
|
| 1.0 | mA |
わかった 総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C |
|
| 400 | NA |
特徴について
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v 遺伝子組み換え (TH ) | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかった C =500μA, v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 °C | 3.5 | 4.5 | 5.5 | v |
v 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C |
| 1.80 | 2.25 |
v |
わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C |
| 2.10 |
|
変形する特性
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =300V,I C =200A, r g =6.8Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 °C |
| 320 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 123 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 318 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 90 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 2.79 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 5.08 |
| mJ | |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =300V,I C =200A, r g =6.8Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について °C |
| 339 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 125 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 344 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 113 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 3.00 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 6.95 |
| mJ | |
C ies | 入力容量 | v CE =30V,f=1MHz, v 遺伝子組み換え =0V |
| 16.9 |
| ロープ |
C オーエス | 輸出容量 |
| 0.88 |
| ロープ | |
C res | 逆転移転 容量 |
| 0.42 |
| ロープ | |
わかった SC |
SC データ | T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V, T j =125 について °C v 定電流 =360V v 単数 ≤600V |
|
1800 |
|
A について |
Q g | ゲートチャージ | v 定電流 =400V、I C =200A, v 遺伝子組み換え =15V |
| 0.72 |
| 微分 |
r ゲント | 内部ゲート抵抗 アンス |
|
| 2.35 |
| Ω |
L CE | 流れる誘導力 |
|
|
| 22 | nH |
r CC+EE | 模板リード 抵抗力 ターミナルからチップへ |
|
|
0.65 |
| mΩ |
電気 特徴 の ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット | |
v F | ダイオード 前向き 圧力は | わかった F =200A | T j =25 °C |
| 1.33 | 1.78 | v |
T j =125 について °C |
| 1.30 |
| ||||
Q r | 回復した 充電 | わかった F =200A, v r =300V r g =6.8Ω, v 遺伝子組み換え =15V | T j =25 °C |
| 9.3 |
| 微分 |
T j =125 について °C |
| 13.2 |
| ||||
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 | T j =25 °C |
| 112 |
| A について | |
T j =125 について °C |
| 125 |
| ||||
e レス | 逆転回復 エネルギー | T j =25 °C |
| 2.09 |
| mJ | |
T j =125 について °C |
| 3.22 |
| ||||
熱特性 ics
シンボル | パラメータ | タイプする | マックス。 | ユニット |
r θ JC さん | ケース対ケース (IGBごとに) T) について |
| 0.175 | 総量 |
r θ JC さん | 交差点 (Dあたり) ヨード) |
| 0.317 | 総量 |
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