IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C =80 について O C

300

200

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

400

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =150 について O C

1157

W について

シンボル

説明

値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

200

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

400

A について

シンボル

説明

値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

150

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+125

O C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

2.15

2.60

v

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

2.65

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =2.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

4.8

5.7

6.3

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.0

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

12.9

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.82

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

2.05

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g =5.1Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

373

NS

T r

昇る時間

104

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

459

NS

T F

秋の時間

168

NS

e on

オン スイッチング

損失

12.9

mJ

e オフ

切断する

損失

17.1

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g =5.1Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C

373

NS

T r

昇る時間

105

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

475

NS

T F

秋の時間

197

NS

e on

オン スイッチング

損失

17.4

mJ

e オフ

切断する

損失

23.7

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =125 について O C,V 定電流 =900V v 単数 ≤1200V

1500

A について