IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

GD200HFK120C2S

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 °C

@ T C =80 について °C

360

200

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1 Ms

400

A について

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

200

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

400

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =1 50°C

1344

W について

T jmax

交差点最大温度

150

°C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+125

°C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

°C

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

4000

v

マウント 扭力

電力端末スクリュー:M6

固定螺栓:M6

2.5から 5.0

平均的な 5.0

N.M<br>

重量

重さ モジュール

300

g

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v (BR )CES

収集-発信

突入電圧

T j =25 °C

1200

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C

400

NA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g =3.4Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 °C

329

NS

T r

昇る時間

76

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

350

NS

T F

秋の時間

142

NS

e on

オン スイッチング

損失

14.6

mJ

e オフ

切断する

損失

14.8

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g =3.4Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125°C

351

NS

T r

昇る時間

77

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

382

NS

T F

秋の時間

183

NS

e on

オン スイッチング

損失

19.2

mJ

e オフ

切断する

損失

19.9

mJ

C ies

入力容量

v CE =30V,f=1MHz,

v 遺伝子組み換え =0V

17.2

ロープ

C オーエス

輸出容量

1.60

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.64

ロープ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V,

T j =125 について °C v 定電流 =900V v 単数 ≤1200V

1600

A について

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

2.0

Ω

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

模板リード

抵抗力

ターミナルからチップへ

0.35

mΩ

シンボル

パラメータ

タイプする

マックス。

ユニット

r θ JC さん

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

0.093

総量

r θ JC さん

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.193

総量

r θ CS

ケースからシンク (電導性油脂の適用) 嘘)

0.035

総量