IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

GD1600SGL120C3S

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

± 20

v

わかった C

@ T C =25 °C

@ T C =80 について °C

2500

A について

1600

わかった CM (CM) (1)

パルスコレクター電流 t P = 1ミリ秒

3200

A について

わかった F

ダイオード 連続前流

1600

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流

3200

A について

P D

最大電源 消耗 T j =150 について °C

8.3

KW

T SC

短回路 耐える時間 @ T j =125 について °C

10

μs

T j

交差点最大温度

150

°C

T STG

保管温度範囲

-40から +125

°C

わかった 2ダイオード

v r =0V,t=10ms,T j =125 について °C

300

kA 2s

v ISO

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

2500

v

マウント

扭力

電力端末 スクリュー:M4

電力端末 スクリュー:M8

平均 2.1

平均値 10

N.M<br>

マウント スクリュー:M6

4.25から 5.75

N.M<br>

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

BV CES

収集-発信

突入電圧

T j =25 °C

1200

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE =V CES バイト 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ

現在

v 遺伝子組み換え =V 総エネルギー バイト CE =0V T j =25 °C

400

NA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 総額

ゲート発信者の限界値

圧力は

わかった C =64mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 °C

5.0

6.2

7.0

v

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =1600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C

1.8

v

わかった C =1600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C

2.0

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

Q 遺伝子組み換え

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15...+15V

16.8

微分

T オンに

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =1600A,

r g =0.82Ω

v 遺伝子組み換え =± について 15V,T j =25 °C

225

NS

T r

昇る時間

105

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

1100

NS

T F

秋の時間

100

NS

e on

オン 切り替え損失

148

mJ

e オフ

切断切換損失

186

mJ

T オンに

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =1600A,

r g =0.82Ω

v 遺伝子組み換え =± について 15V,T j =125 について °C

235

NS

T r

昇る時間

105

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

1160

NS

T F

秋の時間

105

NS

e on

オン 切り替え損失

206

mJ

e オフ

切断切換損失

239

mJ

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

119

ロープ

C オーエス

輸出容量

8.32

ロープ

C res

逆転移転

容量

5.44

ロープ

わかった SC

SC データ

T s C ≤ 10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =125 について °C ,

v 定電流 =900V v 単数 ≤ 1200V

7000

A について

r ゲント

内部ゲート抵抗 タンス

0.1

Ω

L CE

流れる誘導力

12

nH

r 定電流 + ロープ ’

モジュールリードレジスタ について ターミナルからチップへ

T C =25 °C

0.19

m Ω

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =1600A

T j =25 °C

2.1

v

T j =125 について °C

2.2

Q r

回収された電荷

わかった F =1600A,

v r =600V

di/dt=-7500A/μs, v 遺伝子組み換え =15V

T j =25 °C

73

微分

T j =125 について °C

175

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

T j =25 °C

510

A について

T j =125 について °C

790

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

17

mJ

T j =125 について °C

46

シンボル

パラメータ

タイプする

マックス。

ユニット

r θJC

接続 (IGBT 部品,各) モジュール)

15

電力量

r θJC

ケースへの接点 (ダイオード部品,Mあたり) 臭い)

26

電力量

r θCS

ケースからシンク

(電導性脂肪が塗り込まれ, 模块)

6

電力量

重量

重さ モジュール

1500

g