Modulo IGBT 4500V

parametro

Il simbolo

condizioni

valore

 unità

Collettore- Non lo so.emittente tensione

vCES

vGE=0V,tVj= 25°c

4500

v

 dc Collettore corrente

Ic

tc= 100°C,tVj= 125°c

3000

a)

Pico Collettore corrente

Icm

tp= 1ms

6000

a)

Porta- Non lo so.emittente tensione

vGES

±20

v

totale potenza dissolvimento

p- Non

tc= 25°C,tVj= 125°c

31200

- Sì

dc In avanti corrente

If

3000

a)

Pico In avanti corrente

IMF

tp= 1ms

6000

a)

- Un'ondata corrente

IFSM

vr=0V,tVj= 125°C,

tp= 10ms- Sì.metà- Non lo so.onde sinusoidali

21000

a)

Igbt corto circuito SOA

tpsc

v- Cc= 3400V,vCEM chip≤ 4500 V vGE≤ 15 V,tVj≤ 125°c

10

μs

massimo Giunti temperatura

tVj(- Max)

125

°C

Giunti funzionamento temperatura

tVj(- Si', certo.)

-40~125

°C

caso temperatura

tc

-40~125

°C

immagazzinamento temperatura

tSTG

-40~70

°C

montamento forza

fm

90~130

kn

parametro

Il simbolo

condizioni

valore

 unità

Min- Non lo so.

Tipo.

- Max- Non lo so.

Voltaggio di avanzamento

vf

If= 3000A

tVj= 25°C

2.60

v

tVj= 125°C

2.85

v

inverso corrente di recupero

IR

IF=3000A, VR=2800V,

diF/dt=-2500A/μs, VGE=15V,

RGon=1,5Ω,

LS=140nH,

carico induttivo

tVj= 25°C

1690

a)

tVj= 125°C

2750

a)

inverso tassa di recupero

QR

tVj= 25°C

3000

uC

tVj= 125°C

3950

uC

inverso tempo di recupero

tR

tVj= 25°C

1.80

noi

tVj= 125°C

2.20

noi

inverso recupero energia perdita

eRicerca

tVj= 25°C

4000

mj

tVj= 125°C

6300

mj