Modulo IGBT,3600V 1700V
caratteristiche
●Set di chip SPT+ per basse perdite di commutazione
●Basso VCEsat
●Bassa potenza di pilotaggio
●Piastra base in AlSiC per alta capacità di ciclo di potenza
●Sottostrato in AlN per bassa resistenza termica
tipicaapplicazione
●Azionamenti di trazione
●Chopper DC
●Inverter/convertitori a media tensione
Valori massimi nominali
parametro | Il simbolo | condizioni | Min | - Max | unità |
Tensione tra collettore ed emittente | VCES | VGE =0V,Tvj ≥25°C |
| 1700 | v |
Corrente di collettore DC | - - | TC =80°C |
| 3600 | a) |
Corrente di picco del collettore | MIC | tp=1ms,Tc=80°C |
| 7200 | a) |
Tensione del portatore-emittente | VGES |
| -20 | 20 | v |
Dissipazione totale di potenza | Ptot | TC =25°C, per interruttore (IGBT) |
| 17800 | - Sì |
Corrente continua in avanti | Se |
|
| 3600 | a) |
Corrente di picco in avanti | IFRM | tP=1 ms |
| 7200 | a) |
Corrente di sovratensione | IFSM | VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, onda sinusoidale metà |
| 18000 | a) |
IGBT cortocircuito SOA IGBT |
tpsc |
VCC =1200V,VCEMCHIP≤1700V VGE ≤15V,Tvj≤125°C |
|
10 |
μs |
Tensione di isolamento | Visol | 1min, f=50Hz |
| 4000 | v |
temperatura di giunzione | Tvj |
|
| 175 | °C |
Temperatura di giunzione operativa | Tvj ((op) |
| -50 | 150 | °C |
Temperatura della cassa | tc |
| -50 | 125 | °C |
temperatura di conservazione | TSTG |
| -50 | 125 | °C |
Coppie di montaggio | ms |
| 4 | 6 |
nm |
Mt1 |
| 8 | 10 | ||
Mt2 |
| 2 | 3 |
Valori caratteristici IGBT
parametro | Il simbolo | condizioni | Min | tipo | - Max | unità | |
Rottura del collettore (- emettitore) tensione | V ((BR) CES | VGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C | 1700 |
|
| v | |
Tensione di saturazione del collettore-emettitore |
VCEsat | IC =3600A, VGE =15V | Tvj= 25°C |
| 2.5 |
| v |
Tvj=125°C |
| 3.0 |
| v | |||
Tvj=150°C |
| 3.1 |
| v | |||
Corrente di taglio del collettore |
ICES | VCE =1700V, VGE =0V | Tvj= 25°C |
|
| 10 | - Mamma! |
Tvj=125°C |
|
| 100 | - Mamma! | |||
Tvj=150°C |
| 170 |
| - Mamma! | |||
Corrente di perdita di portata | IGES | VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C | -500 |
| 500 | - No | |
Tensione di soglia del portale-emittente | VGE (th) | IC =240mA,VCE =VGE, Tvj =25°C | 5.3 |
| 7.3 | v | |
Importo della porta | CdG | IC =2400A,VCE =900V, VGE =-15V … 15V |
| 21.0 |
| μC | |
Capacità di ingresso | - Cies |
VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C |
| 239 |
|
NF | |
Capacità di uscita | Coes |
| 20.9 |
| |||
Capacità di trasferimento inverso | Cres |
| 9.24 |
| |||
Tempo di ritardo di accensione |
Td (in) |
VCC =900V, IC =3600A, RG =2.2Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, | Tvj = 25 °C |
| 1200 |
|
NS |
Tvj = 125 °C |
| 1500 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 1600 |
| ||||
Tempo di risalita |
tr | Tvj = 25 °C |
| 1400 |
| ||
Tvj = 125 °C |
| 1600 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 1700 |
| ||||
Tempo di ritardo di spegnimento |
Td (off) | Tvj = 25 °C |
| 3000 |
|
NS | |
Tvj = 125 °C |
| 3500 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 3700 |
| ||||
Tempo di caduta |
Tf | Tvj = 25 °C |
| 500 |
| ||
Tvj = 125 °C |
| 560 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 620 |
| ||||
Energia di perdita di commutazione all'accensione |
EON | Tvj = 25 °C |
| 2700 |
|
mj | |
Tvj = 125 °C |
| 2900 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 3200 |
| ||||
Energia di perdita di commutazione allo spegnimento |
EOFF | Tvj = 25 °C |
| 3800 |
|
mj | |
Tvj = 125 °C |
| 4100 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 4400 |
| ||||
Corrente di cortocircuito | sc sc | tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 1200V |
| 10000 |
| a) |
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