Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD1200SGT120A3S

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Collettore corrente @tc= 25°C

@ Tc= 80°C

2100

1200

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp= 1ms

2400

a)

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

1200

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

2400

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175°C

7.61

kW

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

°C

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

°C

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

2500

v

montamento coppia

Vite del Terminale di Segnale:M4

1.8 a 2.1

Vite del Terminale di Potenza:M8

8.0 a 10

n.m.

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

4.25 a 5.75

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

v(br)CES

Collettore-emittente

tensione di rottura

tj= 25°C

1200

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,tj= 25°C

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V, tj= 25°C

400

- No

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 48- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 1200A,VGE= 15V, tj= 25°C

1.70

2.15

v

Ic= 1200A,VGE= 15V, tj= 125°C

2.00

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 1200A,

rGon=1,8Ω,rGoff= 0,62Ω,vGE= ± 15V,Tj= 25°C

550

NS

tr

Tempo di risalita

230

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

830

NS

tf

Tempo di caduta

160

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

- Sì.

mj

espento

Sconto di accensione perdita

- Sì.

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 1200A,- Non lo so.

rGon= 1,8Ω,RGoff= 0,62Ω,vGE= ± 15V,Tj= 125°C

650

NS

tr

Tempo di risalita

240

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

970

NS

tf

Tempo di caduta

190

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

246

mj

espento

Sconto di accensione perdita

189

mj

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

85.5

NF

c- Non

Capacità di uscita

4.48

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

3.87

NF

Isc

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE=15 v,

tj= 125°C,

v- Cc= 900V, vCEM≤ 1200V

4800

a)

rGint

Porta interna

resistenza

1.9

Oh

- Io...- -

Induttanza di deflusso

15

- Non lo so.

rCC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.10

mΩ

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 1200a

tj= 25°C

1.65

2.05

v

tj= 125°C

1.65

Qr

Ricostruito

carico

If= 1200A,

vr= 600V,

rGon= 0,6Ω,

vGE= 15V

tj= 25°C

112

μC

tj= 125°C

224

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

tj= 25°C

850

a)

tj= 125°C

1070

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

tj= 25°C

48.0

mj

tj= 125°C

96.0

Il simbolo

parametro

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

rθJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

19.7

K/kW

rθJC

Connessione con il caso (per D)iodio)

31.3

K/kW

rθcss

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo)mentito)

8

K/kW

peso

peso- Non lo so.modulo

1050

g